晏和玉晶体地电光效应探究性实验.docVIP

北航物理实验探究性报告 晶体的电光效应 姓名：晏和玉 引言： 电光效应 科技名词定义 中文名称： 电光效应 英文名称： electro-optical effect 定义： 晶体在外电场作用下折射率会发生变化的现象称为晶体的电光效应。电光效应是指某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性的效应。 电光效应分为一次电光效应（Δn与电场E呈线性关系）和二次电光效应（Δn与电场平方关系）；他们又分别被称为普克尔斯（Pokells）效应和克尔（Kerr)效应。 1875年克尔（Kerr）发现了第一个电光效应。即某些各向同性的透明介质在外电场作用下变为各向异性，表现出双折射现象，介质具有单轴晶体的特性，并且其光轴在电场的方向上，人们称这种光电效应为克尔效应。１８９３年普克尔斯（Pokells）发现，有些晶体，特别是压电晶体，在加了外电场后，也能改变它们的各向异性性质，人们称此种电光效应为普克尔斯效应。电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上频率为1010Ｈｚ的电场变化），因此可以制成快速控制光强的光开关，被广泛用于高速摄影中的快门，光速测量中的光束斩波器等；利用电场引起的折射率的改变可以控制光波的相位、偏振态等特性，从而实现对光束的调制，做成快速传递信息的电光调制器。由于激光的出现，电光效应的应用和研究得到了迅速发展，如激光通信、激光测量、激光数据处理等。 本实验主要研究铌酸锂（LiNbO3)晶体的一次电光效应，用铌酸锂晶体的横向调制装置测量晶体的半波电压及光电常数。通过本实验不仅可以获得晶体的电光效应的基本知识，还可以对偏振光的干涉、信号的调制和传递有具体的了解。与此同时，从晶体电光调制角度出发，通过观察电光效应所引起的晶体性能的变化和会聚偏振光的干涉现象，以及对铌酸锂晶体电光特性曲线的测量研究，学习和掌握晶体电光调制的原理和实验方法，学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数和消光比的实验方法。 实验目的 掌握晶体电光调制的原理和实验方法 观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象 学会利用实验装置测量晶体的半波电压 二、 实验仪器 铌酸锂晶体，电光调制电源，半导体激光器，偏振器，四分之一波片，接收放大器，双踪示波器（后来添上）。 注：激光光源：半导体激光器， 激光波长：650～680nm， 激光功率：0～2.5mW连续可调， 偏置电压：±0～400V连续可调， 调制方式: 横向调制； 调制晶体：铌酸锂晶体 50mm×6mm×1.7mm； 调制波形：1KHz正弦波或其他波形 实验原理 1.电光效应 晶体（固体或液体）在外加电场中，随着电场强度的改变晶体的折射率发生改变的现象。 当光线穿过某些晶体（如方解石、铌酸锂、钽酸锂等）时，会折射成两束光。其中一束符合一般折射定律称之为寻常光（简称ｏ光），折射率以ｎｏ表示；而另一束的折射率随入射角不同而改变，称为非常光（简称ｅ光），折射率以ｎｅ表示。 相位差：（其中 e光 e光 O光 图1 双折射现象 一般晶体中总有一个或二个方向，当光在晶体中沿此方向传播时，不发生双折射现象，把这个方向叫做晶体的光轴方向。只有一个光轴的称为单轴晶体，有两个光轴方向的称为双轴晶体。由晶体光轴和光线所决定的平面称为晶体的主截面。实验发现，ｏ光和ｅ光都是线偏振光，但它们的光矢量（一般指电场矢量Ｅ）的振动方向不同，ｏ光的光矢量振动方向垂直于晶体的主截面，ｅ光的光矢量振动方向平行于晶体的主截面。晶体的光轴在入射面内时，ｏ光和ｅ光的主截面重合，电光矢量的振动方向互相垂直。 　　光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同，光的折射率就不同，通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。若把坐标轴ｘ，ｙ，ｚ取在晶体的３个主轴方向上，分别用ｎｘ，ｎｙ，ｎｚ表示晶体３个主轴上的折射率，并以ｎｘ，ｎｙ，ｎｚ成比例的长度分别为３个半轴长做一椭球，这个椭球可表示光在晶体内的传播情况，称这个椭球为折射率椭球，如图1-1所示。 图1-1　折射率椭球 上图的折射率椭球可由如下的数学计算得来 电场引起的折射率的变化： （其中a和b为常数， 为=0时的折射率）。 光在各向异性晶体中传播时，由于光传播方向不同或者电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。通常用折射