采用安森美半导体解决的方案满足“能源之星”最新外部电源规范要求.docVIP

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采用安森美半导体解决的方案满足“能源之星”最新外部电源规范要求

采用安森美半导体解决的方案满足“能源之星”最新外部电源规范要求    电源是电子系统中必不可少的组件,除了电视和计算机等产品中所使用的内部电源转换器,外部电源适配器也广泛应用于手机、DSL调制解调器、打印机、笔记本电脑及游戏机等领域,以至于一个普通家庭可能就会拥有少则三五个、多则逾十个的电源适配器。这些适配器的应用规模非常庞大,而且其功率消耗又在一定程度上与用户的使用习惯密切相关。例如,许多用户在将电源适配器(或称充电器)从应用端(如笔记本电脑)拨出后,仍将插头插在墙式插座上,使其在不使用的情况下仍然消耗电流。    因此,电源适配器的工作能效及待机能耗成为美国环保署(EPA)“能源之星”等规范瞄准改善的目标。2008年11月开始生效的“能源之星”外部电源(EPS) 2.0版规范(简称EPA 2.0)就在1.1版基础上提高了要求,如表1所示(Ln为额定输出功率的自然对数)。例如,额定功率大于49 W的外部电源在标准工作模式的能效基准要求从0.84提到0.870,而交流-直流(AC-DC) EPS最大空载待机能耗也大幅降低。    不同适配器的功率等级相差较大,如手机充电器的功率低至5 W,而游戏机适配器功率则可达250 W。根据IEC61000-3-2等标准的要求,功率大于75 W的电源应用需要增加功率因数校正(PFC),低于75 W则无此要求。因此,我们就以75 W为界线,分别着重讨论功率低于75 W适配器和高于75 W适配器满足EPA 2.0新规范所需要的特性,以及能够提供这些所需特性的安森美半导体高性能、高能效控制器示例。   1功率低于75 W的适配器特性   及控制器解决方案       对于功率低于75 W的适配器而言,在工作能效提升方面,首先就需要考虑其损耗来源。事实上,其损耗主要包括两个方面,分别是开关损耗和栅电荷(Qgate)损耗,这两类损耗分别可以用等式(1)和等式(2)来量化:    从这两个等式中可以看出,要提升能效,可以从开关频率(FSW)及关闭时的漏极电压(VDRAIN(turn-off))着手,即要降低开关频率,特别是在轻载时可以采用频率反走技术来实现;而通过采用谷底开关(valley switching)技术,也可以降低关闭时的漏极电压。    而在降低空载能耗方面,可以首先分析出空载损耗主要在于启动电路中的静态损耗,即在空载条件下,启动电阻仍会持续地从大电容消耗电流,造成功率损耗。而降低启动电路损耗的途径有多种,如采用具有极低启动电流的外部启动电阻、采用关断时泄漏电流极低的集成启动电流源,以及连接启动电路至半波整流交流输入等。    作为全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商,安森美半导体提供两种新系列的控制器,提供满足上述适配器工作能效提升及空载能耗降低要求的特性。其中一系列控制器是NCP1237、NCP1238、NCP1287和NCP1288,另一系列是NCP1379和NCP1380。其中,就NCP12xx系列的这四款新器件而言,它们属于固定频率控制器,带集成启动电流源,有助于降低空载输入功率(即空载能耗);并采用频率反走技术和跳周期模式,帮助降低轻载时的开关损耗及栅电荷损耗,从而提升适配器工作能效。这几款器件的开关频率会在25 kHz时钳位,从而消除可听噪声问题。    从所测得的实际案例工作能效来看,NCP1237/38/87/88系列固定频率控制器与前一代产品NCP1271在额定输出功率的100%(65 W)、75%(49 W)、50%(32 W)和25%(16 W)条件下,在115 V(AC)及230 V(AC)电压时的能效总体更优,其中在230 V(AC)条件时平均能效高达87.7%。在轻载及空载能耗方面,以NCP1237为例,与前一代产品NCP1027相比,在10.7 W、1.3 W、0.5 W轻载及0 W空载条件下,在115 V(AC)及230 V(AC)电压时能耗下降了10 mW到710 mW不等,其中这两种输入电压条件下的空载能耗分别仅为71 mW和97 mW。这些能效及能耗测试数值均满足并超越EPA 2.0规范要求。    除了提供满足最新能效及能耗要求的特性,NCP1237/38/87/88还具有多种保护特性,如输入欠压和主电源过压保护、可调节过功率保护、严苛故障条件下的闩锁保护,并提供双路过流保护选项。这些器件工作电压可达30 V,采用SOIC-7封装,并均可根据不同终端应用要求提供A、B版本的选择,适合于笔记本、LCD显示器、打印机和游戏机以及DVD和机顶盒(STB)等应用。    另一系列的NCP1379/80新器件属于谷底开关控制器,具有极低启动电流和频率反走等特性,同样满足降低空载能耗和提升工作能效要求。就其频率反走特性而言,当

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