的制版工艺1.掩膜制造-Read.pptVIP

IC设计基础 王志功 东南大学 无线电系 2004年 第3章 IC制造工艺 3.1 外延生长 3.2 掩膜制作 3.3 光刻 3.4 刻蚀 3.5 掺杂 3.6 绝缘层形成 3.7 金属层形成 3.1 外延生长(Epitaxy) 外延生长的目的 半导体工艺流程中的基片是抛光过的晶圆基片,直经在50到200mm(2-8英寸)之间,厚度约几百微米. 尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上.原因是未外延过的基片性能常常不能满足要求.外延的目的是用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度,因而具有不同性能的晶体层.外延也是制作不同材料系统的技术之一. 外延生长后的衬底适合于制作有各种要求的器件与IC,且可进行进一步处理. 不同的外延工艺可制出不同的材料系统. 液态生长(LPE: Liquid Phase Epitaxy) LPE意味着在晶体衬底上用金属性的溶液形成一个薄层。在加热过的饱和溶液里放上晶体,再把溶液降温,外延层便可形成在晶体表面。原因在于溶解度随温度变化而变化。 LPE是最简单最廉价的外延生长方法.在III/IV族化合物器件制造中有广泛的应用.但其外延层的质量不高.尽管大部分AlGaAs/GaAs和InGaAsP/InP器件可用LPE来制作, 目前,