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模拟电子技术 第1章 半导体器件 PN结的形成过程： 总 结 半导体、本征半导体、杂质半导体 PN结的单向导电性 二极管模型（理想、恒压降）及其电路的分析计算 稳压管的特性 三极管的分类、载流子分配、特性曲线、参数 场效应三极管的特性 （3）三种组态： IC IB 共发射极 CE IC IE 共基极 CB IE IB 共集电极 CC N P N IEN IEP IBN ICBO ICN 三、三极管的特性曲线 1、输入特性 uCE≥2V iB /?A uBE/V 20 40 60 80 0.4 0.8 0 uCE=0V ① ①死区 ② ③ ②非线性区 ③线性区 uCE=1V IC IB 共发射极 CE IC IB 共发射极 CE N P N IEN IEP IBN ICBO ICN 2、输出特性 1 2 3 4 iC/mA uCE/V 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 饱和区 放大区 截止区 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 四、三极管的主要参数 （1）共射电流放大系数： 1、电流放大系数和 ? b （2）共射直流电流放大系数： （3）共基电流放大系数： （4）共基直流电流放大系数： N P N IEN IEP IBN ICBO ICN 2、反向饱和电流 （1）集-基极反向电流ICBO 温度↑→少子↑ → ICBO ↑ （2）集-射极穿透电流ICEO ICEO= (1+? ) ICBO，温度↑→ ICBO↑→ICEO ↑ ↑→IC↑ 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM IC↓→?↓→当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 （2）极间反向击穿电压 发射极开路时集-基极之间的击穿电压U(BR)CBO （3）集电极最大允许耗散功率PCM 三极管的最大热损耗。 使用三极管时： IC ≤ ICM 、 UCE ≤ U(BR)CEO、 UCE IC ≤ PCM 基极开路时集-射极之间的击穿电压U(BR)CEO 1.4 场效应三极管 MOS管的结构： MOS(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 金属—氧化物—半导体场效应管 源极S(Source)、漏极D(Drain)、栅极G(Gate) * 东北石油大学 * 东北石油大学 一、半导体知识基础 3、半导体： 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 1、导体：很容易导电的物质。 2、绝缘体：几乎不导电的物质。 如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 Si Ge 1.1 半导体的特性 共用电子对 二、本征半导体 1、本征：本质特征，即纯净的半导体。 2、定义：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 3、导电机理： 本征激发（热激发） si si si si 空穴 自由电子 自由电子 成对产生 空穴 总结 （1）本征半导体中存在数量相等的两种载流子。 自由电子和空穴 （2）本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 思考 本征半导体与导体的区别？ 三、杂质半导体 1、 N型半导体（电子半导体） 本征半导体中掺入微量的五价元素磷 N 型半导体 + + + + + + + + 示意图 P+ si si si 硅晶体中掺磷出现自由电子 磷 P p 特点： 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 施主原子 P型半导体 － － － － － － － － 示意图 受主原子 2、P型半导体（空穴半导体） 特点： 多数载流子——空穴 少数载流子——自由电子 本征半导体中掺入微量的三价元素硼 B- si si si 硅晶体中掺硼出现空穴 硼 B B 多数载流子数目由掺杂浓度确定 少数载流子数目与温度有关。温度↑→少子↑ 注意： 总结 （1） N型半导体（电子半导体） 特点： 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 （2）P型半导体（空穴半导体） 特点： 多数载流子——空穴 少数载流子——自由电子 1.2 半导体二极管 一、PN结及其单向导电性 1、 PN结的形成 － － － － － － － － P + + + + + + + + N （1）由载流子的浓度差→多子扩散 N区 P区 P区 N区 电子 空穴 （2）正负离子显电性→建立空间电荷区→形成内电场 E （3）内电场E 阻碍多子扩散 有利少子漂移 扩散 = 漂移 动平衡 ① 空间电荷区中没有载流子。