第八章 溅射法.ppt

* 可减少电子逃逸 采用射频放电，气体分子容易激发且激发态稳定，因此气体压力在10-4Torr就能很好地维持放电。它由电离区域和离子加速区域两个系统组成，两个系统可分别控制。电离区域装有可以覆盖从蒸发源蒸发出的粒子的高频振荡线圈。射频电源产生振荡电场，利用电子倍增作用激发气体，因此在低压气体中在阴极暗区区域得到大范围放电，离子处于振荡状态，在线圈周围的离子密度增大，构成离子源。如把电子束蒸发源与该装置的射频线圈并用，即使不导入气体，也能使蒸发粒子电离，出现激发光，可以进行高真空离子镀。 * * 部分烧蚀 蒸镀时高气压将造成气相成核 * 离子束溅射沉积的特点:?对溅射靶材料的要求比较低、?成分可控性比较好?沉积原子的能量比较高；?薄膜均匀性比较差、镀膜效率比较低； * 离子束沉积(ion beam deposition)法是利用离化的粒子作为蒸发物质，在比较低的基片温度下能形成具有优良特性的薄膜。一般分为两种： 非质量分离式离子束沉积和质量分离式离子束沉积。 1). 非质量分离式离子束沉积它是利用离子源产生离子，将离子 (如碳离子) 直接引入沉积室，离子束在偏压电场作用下加速照射基片实施薄膜沉积。 2). 质量分离式离子束沉积，这种方式是从离子源引出离子束后，只选择出单一种离子对基片进行照射。与非质量分离方式相比，混入的杂质少，适合于制取高纯度薄膜。 * 阳离子富集区形成等效阳极，等效阳极和阴极间距离短所以比初始时阳极和阴极间的电场强度强。产生辉光放电后，极板间电阻减小，所以电压下降。等离子区域宏观为中性，所以没有压降(可用高斯定理说明)。由于电压降主要在负辉光区和阴极间，所以从负辉光区到阳极间的电压降很小，电子很难被加速再电离分子。 在其他放电条件不变时，只改变气压，阴极位降不变，但阴极位降区的宽度变化，阴极位降区的宽度与气压成反比。当极板间距离d固定时，减小气压p，阴极位降区的宽度dk增大，当d=dk时，除阴极位降区外其他各区都不存在，放电仍能维持。若气压进一步减小，则放电熄灭，所以气压不能太低。 * Tv为振动能，Tro为转动能 Plasmas types are often differentiated on the basis of the electron energy and temperature. For example, Te for glow discharges is greater than that for flames but considerably less than that for fusion plasmas. * 离子轰击在薄膜沉积过程中的作用（与靶的作用及对薄膜的影响） * 对薄膜的影响 * 实验结果与动能传输机制相符 * * 一般的熔点高的材料溅射产额低，共价材料的溅射产额低，随元素d层原子增加，溅射产额提高。 * 使用惰性气体作为入射离子时，溅射产额较高，而且，重离子的溅射产额明显高于轻离子。出于经济性上的原因，在多数 情况下均采用Ar离子作为溅射沉积时的入射离子。 * 能量高，注入效应明显 * 低温下离子轰击使表面非晶化，所以各向同性 * 表面剩余的A: nCA-CAngSA，同样表面剩余的B，自发均匀化。 溅射过程中靶物质的扩散能力较弱。由于溅射产额差别造成的靶材表面成分的偏离很快就会使靶材表面成分趋于某一平衡成分，从而在随后的溅射过程中实现一种成分的自动补偿效应，即溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降；而溅射产额低的元素得到了富集，溅射速率上升。其最终的结果是，尽管靶村表面的化学成分已经改变，但溅射出来的物质成分却与靶树的原始成分相同。 * 通过提高沉积物离子与基体表面的反应活性（即提高驻留时间），提高成核密度；离子轰击还可通过增加表面缺陷的方式提高成核密度；离子轰击还可清除阻碍扩散-反应型成核模式的沾污和阻挡层。 这是溅射和蒸发的一个重要区别。 * 一般的蒸发沉积膜具有拉应力，溅射沉积膜具有压应力 * 研 * 该方法的优点是结构简单、控制方便。缺点是沉积速率低，工作压力高时杂质污染严重，大量二次电子直接轰击基片，使基片温度过高。 该技术已很少用，主要因为沉积速率太低 ~ 0.1微米/分钟，但是可以用于表面清洁。 * 需要有比较高的气压维持放电，对薄膜的污染，损伤都比较严重 在相对较低的气压条件下，阴极鞘层厚度较大，原于的电离过程多发生在距离靶材很远的地方，因而离子运动至靶材处的几率较小。同时，低压下电子的自由程较长，电子在阳极上消失的几率较大，而离子在阳极上溅射的同时发射出二次电子的几率又由于气压较低而相对较小。这使得低压下的原子电离成为离子的几率很低，在低于1Pa的压力下甚至不易发生自持放电。这些均导致低压条件下溅射速率很低。 随着气体压力的升高，电