非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能地影响.docVIP

非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响.txt时尚，就是让年薪八千的人看上去像年薪十万。我们总是要求男人有孩子一样的眼神，父亲一样的能力。一分钟就可以遇见一个人，一小时喜欢上一个人，一天爱上一个人，但需要花尽一生的时间去忘记一个人。 本文由leepingpang贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第２９卷第８期 ２００８年８月 太阳能学报 Ａｃｎ～ＥＮＥＲａＡＥ Ｓ０１．ＡＲＩｓ ＳＩＮｌＣＡ Ｖ０１．２９．Ｎｂ．８ Ａｌｌｇ．，２００８ 非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 韩晓艳，张晓丹，侯国付，郭群超，袁育杰，董 培，魏长春， 孙 建，薛俊明，赵 颖，耿新华 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室， 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津３０００７１） 摘要：采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积（ⅥＢＰＥｃＶＤ）技术，以不同的反应气体总流量制备 出沉积速率大于ｌｎＩＩ｜，ｓ、次带吸收系数（口０。“）小于２．５ｃｍ＿１且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜，然而将其应用在微 晶硅电池中时，电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态乒ｙ，量子效率（伽）和微区拉曼（‰）测 试发现，微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微 晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层，阻碍了载流子的输运，使电池的长波光谱响应下降，从而降低了电池的短路电流 密度与填充因子；而增加总气体流量，有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度，从而使电池性能得到改善。 最后在总气体流量为５００￥ｃ锄时，制备得到沉积速率为１哪ｌ，８，效率为７．３％的单结微晶硅太阳电池。 关键词：高速沉积；非晶孵化层；微晶硅太阳电池 中图分类号：删１０５５ 引 言 文献标识码：Ａ ０ 体总流量下，都能通过调节工艺参数获得沉积速率 高、缺陷态密度低的本征微晶硅薄膜，然而将其应用 在微晶硅电池中时，小流量制备的电池性能要比大 流量差得多。本文就此现象对微晶硅材料和电池进 微晶硅（鹏一Ｓｉ：Ｈ）薄膜太阳电池因具有高转换 效率和高稳定性而备受光伏产业界的青睐［１刮。由 于微晶硅是一种间接带隙半导体材料，为了充分吸 行了测试分析和讨论。 收太阳光就需要使薄膜厚度大于ｌ脚。因此提高生 长速率对降低微晶硅薄膜光伏电池生产的成本至关 重要［４圳。很多研究结果表明超高频等离子体增强 化学气相沉积（Ⅵ皿１．ＰＥＣＶＤ）结合高压是高速生长微 １实 验 本文所有样品都是在等离子体增强化学气相沉 积系统（ＰＥＣ、，Ｄ）中制备的。实验中ｉ材料和电池ｉ 晶硅薄膜的有效方法［７’８】，而高压下需要高功率分解 气体来提高生长速率，由此产生的高能离子对薄膜 表面的轰击作用会破坏薄膜质量，因此如何提高高 速沉积微晶硅薄膜的质量成为研究热点。太阳电池 层采用７０ＭＨｚ的频率。选用绒面ｃｏｍｉＩｌｇ＃７０５９玻 璃为ｉ材料衬底，Ｓｎ０２／ｚｎＯ复合膜和湿法腐蚀的 ｚｎＯ为电池的衬底。电池的结构为玻璃／，Ｉ℃Ｏ／ｐ＿肚一Ｓｉ ：Ｈ／ｉ－即一ｓｉ：Ｈ，ｎ．ａ．ｓｉ：Ｈ／背反射电极。制备电池时采 用相同的ｐ，ｎ层。 性能由光生载流子的复合决定，对薄膜的缺陷态密 度非常敏感，那么薄膜的缺陷态密度就成为衡量薄 膜质量的重要标准。然而，有文献报道将高速沉积 拉曼测试采用胁ｓｈｗ Ｒ＾珈００型拉曼测试仪，选用 波长为６３３啪的Ｈｅ—Ｎｅ激光器（探测深度为５００咖）与 波长为５１４砌的缸离子激光器（探测深度约为 １５０啪）对材料和电池的微结构进行分析，并由Ｒａ咖ｎ 材料的吸收谱采用恒定光电导谱法（ＣＰＭ）测试； 的具有低缺陷态密度的本征微晶硅薄膜应用到电池 中时，得不到较高性能的电池［９’１０Ｊ。 在本实验中也出现了类似现象：在不同反应气 收稿日期：加０ｒ７．０９地 基金项目：国家重点基础研究发展（９ｒ７３）计划项目２００６ｃ日２０２６０２；２００６ｃＢ２０２６０３）；国家自然科学基金；国家科技计划配套项目 通讯作者：韩晓艳（１９８０～），女，博士研究生，主要从事光电子薄膜器件的研究。｝Ⅸ脚０６＠ｎｌａｉｌ．ｎ胂ｋ日ｉ．幽．锄 （ｃｒ７㈣Ｑ９５∞） 万方数据 ９１６ 太