第7章 金属和导体接触.pptVIP

加正压时，势垒降低，形成自外向内的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致。 空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度。 * 平衡时，如果接触面处有 此时若有外加电压，p(0)将超过n0，则空穴电流的贡献就很重要了。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为少数载流子的注入比，用γ表示。 * 加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。 因为平衡值p0很小，所以相对的增加就很显著。 * 对n型阻挡层而言 * 7.3.2欧姆接触 定义 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。 实现 反阻挡层没有整流作用，但由于常见半导体材料一般都有很高的表面态密度，因此很难用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。 * 隧道效应：重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒产生大隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分，即可形成接近理想的欧姆接触。 * 接触电路：零偏压下的微分电阻 把导带底Ec选作电势能的零点，可得 * 电子的势垒为 令y=d0-x，则 * 根据量子力学中的结论，x=d0处导带底电子通过隧道效应贯穿势垒的隧道概率为 有外加电压时，势垒宽度为d，表面势为[(Vs)0+V]，则隧道概率 * 隧道电流与隧道概率成正比 进而可得到 * 第七章 金属和半导体的接触 * 7.1 金属半导体接触及其能级图 * 7.1.1 金属和半导体的功函数 金属功函数 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化。 * 半导体功函数 电子亲和能 故 其中 * 7.1.2 接触电势差 金属与n型半导体接触为例 金属和半导体间距离D远大于原子间距 随着D的减小， * 若D小到可以与原子间距相比较 若WmWs，半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs0，形成表面势垒（阻挡层）。 若WmWs，半导体表面形成负的空间电荷区，电场由表面指向体内，Vs0。形成高电导区（反阻挡层）。 * 7.1.3表面态对接触电势的影响 实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触时形成的势垒高度却相差很小。 原因：半导体表面存在表面态。 * 表面态分为施主型和受主型。表面态在半导体表面禁带中呈现一定分布，表面处存在一个距离价带顶为qФ0的能级。电子正好填满qФ0以下所有的表面态时，表面呈电中性。若qФ0以下表面态为空，表面带正电，呈现施主型；qФ0以上表面态被电子填充，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体，qФ0越为禁带宽度的三分之一。 * 若n型半导体存在表面态，费米能级高于qФ0，表面态为受主型，表面处出现正的空间电荷区，形成电子势垒。势垒高度qVD恰好使表面态上的负电荷与势垒区的正电荷相等。 * 高表面态密度钉扎（pinned） 存在表面态即使不与金属接触，表面也形成势垒。 当半导体的表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关，有半导体表面性质决定。 * 7.2金属半导体接触整流理论 * 7.2.1扩散理论 当势垒宽度大于电子的平均自由程，电子通过势垒要经过多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。（耗尽层近似） 泊松方程 * 边界条件 可得 * 外加电压于金属，则 可得势垒宽度 * 电流密度方程 代入爱因斯坦关系，并整理得 * 在x=0到x=xd对上式积分，求解可得 当V0时，若qVk0T，则 * 当V0时，若|qV|k0T，则 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 * 7.2.2热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。起作用的是势垒高度而不是势垒宽度。电流的计算归结为超越势垒的载流子数目。 假定，由于越过势垒的电子数只占半导体总电子数很少一部分，故半导体内的电子浓度可以视为常数。 讨论非简并半导体的情况。 * 半导体单位体积能量在E~E+dE范围内的电子数 * 若v为电子运动的速率，则 带入上式，并利用 * 可得 单位体积内，速率vx~vx+dvx，vy~vy+dvy，vz~vz+dvz范围内的电子数 * 显然单位面积而言，大小为vx的体积内，上述速度范围的电子都可以达到金属和半导体界面。 达到界面的电子要越过势垒，必须满足 * 所需要的x方向的最小速度 若规定电流的正方向是从金属到半导体，则从半导体到金属的电子流所形成的电流密度为 * 其中理查逊常数 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压而变化，所以为常量，与热平衡条件下，即V=0时的Js-m大小相等，方向相反。