干法跟湿法腐蚀章节稿.pptVIP

干法腐蚀和湿法腐蚀 目录 介绍 术语 湿法和干法腐蚀 等离子体基础 具体的腐蚀工艺介绍 腐蚀的定义 腐蚀工艺就是从表面除去材料 化学，物理，结合三种作用 选择性的或整体腐蚀 选择性腐蚀将IC设计的图象通过光刻胶转移到硅片表面层上去 栅掩膜的对准 栅掩膜的曝光 显影、后烘、检查 腐蚀多晶 腐蚀多晶（续） 去胶 工艺流程 腐蚀的术语 ? 腐蚀速率 ? 选择比 ? 腐蚀均匀性 ? 腐蚀剖面 ? 湿法腐蚀 ? 干法腐蚀 ? 反应离子腐蚀（RIE） 终点 腐蚀速率 腐蚀速率用这种材料从硅片表面被腐蚀有多快来衡量 腐蚀速率 腐蚀均匀性 腐蚀均匀性用片内和片间的工艺可重复性来衡量 厚度测量测的是不同点的腐蚀之前和腐蚀之后 越多的测量电,越高的准确性 通常使用的是标准偏差定义 不同的定义给出不同的结果 标准偏差的非均匀性 N 个点的测量 最大-最小的均匀性 腐蚀的不均匀性可以通过下面的等式（叫做最大－最小均匀性）来计算 选择比 选择比是不同材料的腐蚀速率之比 在图形腐蚀方面很重要 选择比是对下层薄膜和对光刻胶 选择比 选择比 Etch Profiles Etch Profiles 负载效应: macro loading 硅片上较大的曝露区域和较小的曝露区域的腐蚀速率是不同的 主要影响批腐蚀的工艺 在单片工艺上有较小的影响 负载效应: mi