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（2）确定发射极和集电极 基极确定后，测另两只引脚对基极的反向电阻，即将红、黑表笔对调，阻值在十几kΩ到几百kΩ之间时即是发射极，剩余一只引脚为集电极。或者在基极和管型确定后，直接测除基极外另两只引脚的正反向电阻，当阻值在十几kΩ到几百kΩ之间时，黑表笔接的是的是NPN管的发射极，红表笔接PNP管的发射极，余下的一只引脚即为集电极。 可按以下规律记忆： 在用万用表R×10k档测三极管c、e间电阻时，如果阻值不是“∞”（十几kΩ到几百kΩ之间），则万用表的“红进黑出”（电流由红表笔流入，黑表笔流出）方向与三极管表示发射极电流的箭头方向相反。 * 四、 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。 * 优点： 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 * (a) 外形 K G A (b) 符号 G 控制极 三 个PN  结 P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 K 阴极 阳极 A 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。 1、