电介质及其介电特性损耗.pptVIP

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  • 2018-11-11 发布于福建
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电介质及其介电特性损耗

* 电介质理论及其应用 电介质的损耗 1. 极化的建立过程与介质损耗 2. 极化损耗的频率温度特性 3. 柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图 主要内容: 电介质的损耗 1. 极化的建立过程与介质损耗 极化的建立过程与介质损耗 极化建立都不是瞬时完成的,必须经过一定的时间。电子位移极化建立最快,约为10-14~10-15秒。而与热运动有关的松弛极化建立则需要较长的时间,10-2~10-7秒。 因此,在介质上加以较高频率的电场时,往往仅有建立较快的位移极化,能够跟得上建立,介质的介电常数值将比在直流和工频电场下的值要低。 介质的介电常数,不仅与温度有关,而且与加在介质上的电场频率密切相关。即 在极化建立过程中,相对于电场的滞后作用,会引起部分电能转化为热的效应——介质损耗 在工程中以正弦电压作用下,通过介质的有功电流与无功电流之比,或有功损耗与无功功率之比,即介质损耗角正切(tan?)来作为介质损耗的特性参数: I 在高频下,还可用复介电常数?*( ?* = ?’ -j ?” )的虚部?”来表征介质损耗——介质损耗因数 反映介质损耗的这些特征参数,都与极化的本质和极化建立过程密切相关。 极化的建立过程与介质损耗 j? 极化的建立过程与介质损耗 1. 1 介质极化过程中的电流 在恒定电场作用下,均匀电介质中的电流 j: 位移极化产生的瞬时电流 j? 松弛极化引起的松弛电流 ja+jc , ——吸收电流 电导电流 j? ,——贯穿电导损耗 j? ?d具有直流条件下的最大值 介质的静态介电常数反映的是直流电场作用下的极化效应;当外加正弦交变电场时,介质的极化导致不同于静态的交流介电常数。如果某瞬时每个分子产生的感应偶极矩能够跟上电场的变化,则任一瞬时有: 1.2 转向极化率随频率的变化 但有两个因素影响偶极子沿电场方向定向: (1)热运动使偶极子定向无序化。如气体分子碰撞,液体、固体中格点的无序振动。 (2)分子间的强相互(粘滞)作用(特别在液体和固体中)使分子的旋转不能立即跟上电场的变化。 极化的建立过程与介质损耗 因此,如果电场变化太快,结果使分子定向无序化。 在高频下由于电场不能使介质产生感应偶极矩, ?d=0; 在低频下偶极子能够跟上电场的变化,?d 具有最大值。 这表明?d 随着电场频率的增加将从最大值减小致零。 当介质上施加直流场在t=0时刻,突然从E0降到E,则分子的感应偶极矩从?d(0)E0降至?d(0)E ,?d(0)表示频率为零时的极化率。 这种感应偶极矩减少的松弛过程取决于分子的随机碰撞。 极化的建立过程与介质损耗 假设分子间碰撞的平均时间为松弛时间?——使每个分子感应偶极矩无序化所需的平均时间。 如果?为瞬时感应偶极矩,则?-?d(0)E为剩余感应偶极矩,经过?后即可消除。感应偶极矩随时间的变化率: 在交流电场下: 解方程可得: 其中: ?d(?)表示在交流电场作用下的极化率。该极化率为一复数,表明?与E相位不同。(高频、低频讨论) 极化的建立过程与介质损耗 极化的建立过程与介质损耗 1.3 介质损耗 如果单位体积的分子数为n0,则极化强度 P = n0 ? 与E亦不同相。 将?d(?)代入普适方程可得到复相对介电常数: ?r’与 ?r”均随频率变化。 ?=0, ?r’= ?r’(0); ?=?, ?d=0, ?r’= 1 ?r”在低频和高频下均为0,当??=1时出现峰值。 实部?r’ 表示相对介电常数,可用于计算介质电容 虚部?r”表示介质能量损失,即偶极子克服随机碰撞而定向 极化的建立过程与介质损耗 对上图模型及等效电路,可得导纳: 可得介质的等效电容和电导: ——不产生有功损耗 ——产生有功损耗 总输入功率W: 式中第二项是实数,表明介质中的功率损耗与?r”有关,且当?=1/?时出现峰值。 由此可见,电场的储能速率取决于?;而能量转化为分子碰撞的速率则取决于1/?。 当?=1/?时,两过程以相同速率发生,因此能量转化为热最有效。 频谱中的?r”峰值被称为松弛峰,在对应的频率下,偶极松弛产生最大功率损耗。 极化的建立过程与介质损耗 得到单位体积介质的功率损耗: 单位体积介质的功率损耗或单位时间的能量损失——以热的形式转化为分子的无序碰撞,受频率、场强和损耗角正切的影响。 在频率、介质介电常数和电场强度一定的情况下,tan?可以表征介质损耗的大小。 极化的建立过程与介质损耗 在电容器的工程应用中, ?r’一定时,往往希望?r”最小,定义损耗角正切tan?来表征其相对变化量: 极化损耗的频率温度特性 2. 极化损耗的频率温度特性 2. 1 频率特性 (1)低频区

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