布里奇曼法生长GaSb单晶凝固过程的-研究.pdfVIP

3．3．2透射电子显微镜…………………………………………………………．39 3．4结果与讨论……………………………………………………………………39 3．4．1石英管膜层表面结构分析………………………………………………．39 3．4．1．1镀膜时间对镀膜表面形态的影响……………………………………．39 3．4．1．2腐蚀剂浓度对镀膜质量的影响………………………………………．40 3．4．2石英管膜层表面力学性能分析…………………………………………．41 3．4．2．1镀膜时间以及冷却时间对镀膜强度的影响…………………………．41 3．4．2．2镀膜温度对镀膜强度的影响…………………………………………42 第四章布里奇曼法生长GaSb晶体工艺的研究…………………………………．43 4．1实验的原料和设备……………………………………………………………43 4．1．1实验的原料………………………………………………………………．43 4．1．2实验的仪器、设备………………………………………………………．43 4．2装料和封管……………………………………………………………………43 4．3GaSb多晶料的合成…………………………………………………………．．44 4．4 GaSb晶体的生长……………………………………………………………．．44 4．5GaSb晶体切片………………………………………………………………．．46 4．6 GaSb晶体抛光、腐蚀………………………………………………………．．46 4．7石英管和晶体的表征…………………………………………………………46 4．7．1 X射线衍射仪(XI①)…………………………………………………．46 4．7．2霍尔效应测试系统………………………………………………………．46 4．8结果与讨论……………………………………………………………………47 4．8．1物相分析…………………………………………………………………．47 4．8．2晶片组织…………………………………………………………………．47 4．8．3晶体表面形貌分析………………………………………………………．48 4．8．4电学性能测试……………………………………………………………．49 4．8．4．1载流子迁移率与生长关系的位置关系………………………………49 4．8．4．2载流子浓度与生长位置的关系………………………………………50 4．8．4．3电阻率与生长位置的关系……………………………………………5l 4．8．4．4磁致电阻与生长位置的关系…………………………………………52 4．8．4．5电阻横纵比与生长位置的关系………………………………………52 4．8．4．6霍尔系数与生长位置的关系…………………………………………53 第五章结论…………………………………………………………………………55 参考文献……………………………………………………………………………．．57 攻读硕士学位期间发表论文情况…………………………………………………．．63 致{射…………………………………………………………………………………………………………．．65 第一章前言 第一章前言 1．1锑化镓晶体简介 优异的光电晶体材料，是ⅡI．V族二元化合物。从器件的角度来看，GaSb基衬板 在激光二极管、光电探测器、超晶格红外探测器等拥有巨大潜力。可以预见， GaSb晶体在未来的长波激光、通信光纤器件和双极型晶体管领域也会有重要应 用M】。 1．1．1 GaSb晶体的结构 GaSb是一种类似锗的化合物型半导体，灰白色，单晶体属于立方晶系，面 法制备，室温下高纯度的GaSb单晶总是P型，空穴浓度为(1．2)x1017／cm3。 ◇ Sb ● Ga 图1．1GaSb的结构 111-2 GaSb晶体的基本物理性质参数