《模拟电子技术基础》课程复习资料精编含答案整理编辑版.docxVIP

模拟电子技术 PAGE \* MERGEFORMAT 1 《模拟电子技术》复习资料答案 一、填空题 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ；其电阻率分别受 杂质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 在 N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为 P 型半导体。 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al ，得到 P 型半导体。 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越_ 多 ，而少数载流子应是__ 空穴 __，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 半导体中存在着两种载流子：带正电的__ 空穴 __和带负电的 _电子 。 N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 杂质半导体分 N 型（电子） 和 P 型（空穴） 两大类。 N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子则与 温度 有很大关系。 PN 结的主要特性是 单向导电性 。 PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为 空间电荷区（势垒区） 或 耗尽区（阻挡层） 。 PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 PN 结两端电压变化时，会引起 PN 结内电荷的变化，这说明 PN 结存在 电容效应 。 二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有 PN 结的 单向导电 特性。 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=IS(eU/UT-1) ，其曲线又可分三部分： 正向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 有两个晶体二极管 A 管的β=200，ICEO=200μA；B 管的β=50，ICEO=10μA，其他参数大致相同，相比之下 B 管的性能较好。 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路 。 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿区 ，所以当 反向电压 大于稳定电压 UZ 时，它才能产生稳压作用。 变容二极管是利用 PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 三极管有两个 PN 结，即 发射 结和 集电 结，在放大电路中 发射 结必须正偏， 集电 结必须反偏。 三极管个电极电流的分配关系是 IE= IB+IC 。 三极管有_NPN_型和__PNP__型，前者在电路中使用的符号是______，后者在电路中使用的符号是 ________。 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 重 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 处于放大状态的三极管 IC 与 IB 的关系是_IC=β IB _，处于饱和状态的三极管 IC 不受 IB 的控制，_失去_ 了放大作用，处在截止状态的三极管 IC__。 电流放大系数b的定义是。 当 NPN 锗管工作在放大区时，在 E、B、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低； UBEQ 约等于 0.2V 。 当 PNP 型硅三极管处于放大状态时，在 E、B、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电位最低。 三极管的反向饱和电流 ICBO 随温度的升高而_升高__，穿透电流 ICEO 随温度升高而__增加__，UBE 随温度的升高而__下降__，b值随温度的升高而__增加___。 三极管的三个主要极限参数是__PCM___、____ICM____和___反向击穿电压____。 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、__截止区___和击穿区四个工作区域。当三极管工作在__放