利用电浆辅助化学气相沉积法於低温下成长氮化镓奈米线.PDFVIP

技術學刊 第二十七卷 第二期 民國一○一年 91 Journal of Technology, Vol. 27, No. 2, pp. 91-96 (2012) 利用電漿輔助化學氣相沉積法於低溫下成長 氮化鎵奈米線 侯文棋 1 唐偉哲 1 蔡炯賢 1 洪昭南 1, 2 1 國立成功大學化學工程學系 2 國立成功大學微奈米科技研究中心 2 國立成功大學能源科技與策略研究中心 2 國立成功大學尖端光電科技中心 摘 要 本 文 主 要 以 電 漿 輔 助 化 學 氣 相 沉 積 法 藉 由 氣 － 液 － 固 成 長 機 制 (vapor-liquid-solid mechanism, VLS) 成長氮化鎵 (gallium nitride, GaN) 奈米 線。此實驗系統以氮電漿作為氮化鎵成長所需的氮源，氮電漿反應性比熱化 學氣相沉積法所使用的氨氣高且氮電漿解離率與溫度間的關聯性不大，故能 在低成長溫度下得到高品質氮化鎵奈米線。在本研究中，氮化鎵奈米線的成 長溫度範圍由 900°C 到 550°C ，以穿透式電子顯微鏡 (transmission electron microscopy, TEM) 、光激發螢光光譜 (photoluminescence, PL) 及 X 光繞射儀 (X-ray diffraction, XRD) 對製備出的氮化鎵奈米線進行分析。相較於熱化學 氣相沉積法需要接近 1000°C 的高溫來成長高品質晶體，利用電漿輔助系統 可在 900°C 下成長出高品質的氮化鎵奈米線，當成長溫度下降到 700°C 時， 經由 TEM 與 PL 的分析，證實在這個系統中仍可維持奈米線的晶體品質，但 當成長溫度降到 550°C 時，由於成長氣氛轉為 N-rich 及低的表面溫度，造成 鎵原子在基板及奈米線表面的擴散能力大幅下降，奈米線內部及表面因而產 生許多缺陷，使奈米線外型彎曲且晶體品質下降。 關鍵詞：電漿輔助化學氣相沉積法，氮化鎵，奈米線。 LOW TEMPERATURE GROWTH OF GaN NANOWIRES BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION Wen-Chi Hou1 Wei-Che Tang1 Chiung-Hsien Tsai1 Franklin Chau-Nan Hong1, 2 1 Department of Chemical Engineering 2 Center for Micro/Nano Science and Technology 2Research Center for Energy Technology and Strategy