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第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析
第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析
本章目录
7.1 CMOS反相器的直流特性
7.2 反相器的开关特性
7.3 功耗
7.4 DC特性:与非门和或非门
7.5 与非门和或非门的暂态响应
7.6 复合逻辑门的分析
7.7 逻辑门过渡特性设计
7.8 传输门和传输管
7.9 关于SPICE模拟
2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 1
§7.1 CMOS反相器的直流特性
1 逻辑摆幅V
L
输出高电压:V =V 输出低电压:V =0V
OH,max DD OL,min
逻辑摆幅:V =V -V =V
L OH,max OL,min DD
逻辑摆幅等于全部电源电压值,称为全轨输出。
全轨输出:full-rail output 或rail to rail output
2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 2
§7.1 CMOS反相器的直流特性
2 电压传输特性曲线(VTC )
V =0
OL
2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 3
§7.1 CMOS反相器的直流特性
2 电压传输特性曲线(VTC )——可分为5个区域
A 区,≤V V :
0
in Tn
NMOS截止,PMOS导通;
B 区,V V V −V :
Tn in out Tp
NMOS饱和,PMOS非饱和;
C区,V −V V V +V :
out Tp in out Tn
NMOS饱和,PMOS饱和;
D 区,V +V V V −V :
out Tn in DD Tp
V =0
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