第7章CMOS逻辑门电子学分析第7章CMOS逻辑门电子学分析.PDF

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第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析 第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析 本章目录 7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性:与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 1 §7.1 CMOS反相器的直流特性 1 逻辑摆幅V L 输出高电压:V =V 输出低电压:V =0V OH,max DD OL,min 逻辑摆幅:V =V -V =V L OH,max OL,min DD 逻辑摆幅等于全部电源电压值,称为全轨输出。 全轨输出:full-rail output 或rail to rail output 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 2 §7.1 CMOS反相器的直流特性 2 电压传输特性曲线(VTC ) V =0 OL 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 3 §7.1 CMOS反相器的直流特性 2 电压传输特性曲线(VTC )——可分为5个区域 A 区,≤V V : 0 in Tn NMOS截止,PMOS导通; B 区,V V V −V : Tn in out Tp NMOS饱和,PMOS非饱和; C区,V −V V V +V : out Tp in out Tn NMOS饱和,PMOS饱和; D 区,V +V V V −V : out Tn in DD Tp V =0

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