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光阻劑及感光高分子簡介 光阻的用途 微影顯像及光阻的基本概念 光阻劑用途別應用說明 光阻劑的品質需求 DIC關聯產品一覽 電子材料及光阻劑市場 * 立大化工 符祥龍 光阻劑的基本用途 光學記錄材料的應用 (OPD) 彩色濾光片(CF)的應用 微電路顯影製作(IC製程) 由於技術的日新月異,各種電子產品不斷地朝向多功能、多樣性發展,體積也以輕、薄、短、小為共同追求目標,驅使印刷電路板,由傳統多層板製作方式邁向HDI製程,產品市場方面也由集中通訊板或資訊板,慢慢改以IC載板為未來主流趨勢,其中製作線路所使用的光阻劑就成了影響線距、線寬的主要因素之一。 占TFT-LCD構裝元件中最高成本的彩色濾光片,其基本的構成要素即是彩色光阻劑;一般均是由感光高分子/AC高分子/顏料 所組成 使用於如CDR、DVDR等之光資訊轉移;隨著儲存資料增加的日漸要求,光解析度是品質的重點 Photolithography(光學微影術) 定義 — 利用光照印刷圖案 — 將微電路圖案轉印至載體(矽晶圓)之上 製程 — 使用光阻劑曝光前後之變化,將預定之 圖案轉至晶圓底材 光阻的種類 — 正型(POSITIVE)及負型(NEGATIVE) 光阻劑 光阻是幅射敏感的化合物,簡單區分為正型光阻及負型光阻,取決於對幅射的反應 Positive Resist: Photo Mask Resist Silicon Substrate Oxide Resist Resist Oxide 正型光阻 經過照光後,曝光區變得容易溶解移去,所以光罩上未遮蔽區的影像即為正型光阻溶解後移去區域的圖案 Resist Silicon Substrate Oxide Resist Oxide Photo Mask Negative Resist: 負型光阻 在曝光後,曝光區變得不易溶解,所以負型光阻移去圖案為光罩上遮蔽光線的位置 Static Photoresist Dispense Dynamic Stationary Arm Dispense Dynamic Moving Arm Dispense 光阻劑的塗佈方式 光學微影應用的基本製程(Ⅰ) 基本素材皆為silicone底板 在素材上沉積一保護層,一般為 Silicone-oxide或Silicone-nitrate 將光阻劑以spin-coater塗佈於保護層上,再經一軟烤程序脫去溶劑 以光罩對影於光阻之上,並經透過光罩的紫外線光源,使光阻對影曝光 未經紫外線曝光的光阻部分經顯影 製程洗去 再經由電漿或濕式蝕刻製程,將底材 保護層依曝光顯影之圖形蝕刻除去 再將剩餘之光阻層洗去,形成微影圖 案 光學微影應用的基本製程(Ⅱ) 光阻劑於CD製程之運用 1.光阻層以旋轉塗佈方式施塗於玻璃機材表面 2.雷射光(LBR)將光記錄資料轉至光阻層,並使光阻層交聯,未交聯 曝光部分則洗去 3.將薄金屬層(Ag or Al)沉積於光阻層面 4.附加層之金屬以電沉積製程附加於薄金屬層上 5.形成之金屬模型自玻璃母材移出 6.將PC注入模具並成型 7.濺鍍鋁層於PC上形成光記錄資料表面 8.以旋轉塗佈紫外線硬化塗層並硬化之 9.成品商標印刷及品質檢測(UV INK) 資料來源:Fuji Chirnera Research;工研院經資中心 ITIS2000年6月 我國CD-R、CD-RW、DVF-Video光碟片市場 資料來源:工研院經資中心ITIS2000年6月 TFT-LCD的作動原理 背 光 源 偏光板 偏光板 彩色濾光片 濾光片承載玻璃 TFT 玻璃電極板 彩色濾光片的構成 紫外線反應高分子含有部分:彩色畫素、黑色矩陣、保護層 Binder含有部分:彩色畫素、黑色矩陣 彩色濾光片的構裝製程 TFT-LCD 成本結構 彩色濾光片成本架構 PDCR彩色光阻之構成 顏料(submicron以下~nano) 5~15% 光反應組成份 光反應性Oligomer 5~15% 多官能基單體 分散用Binder ACRYL Binder 5~15% 溶劑(高沸點酮類及Cellusolve) 50~80% 光起始劑 trace HMDS密著性 高附著性(adhesion) 組成、Tg 熱穩定性 組成、Mw、Tg 溶劑溶解度(solubility) Mw 加工性 金屬
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