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2015年华南理工大学电子技术基础(含数字与模拟电路)考研练习题,分数线,复试线,考研真题-育明教育广州分校
育 明 教 育
广 州 分 校
2015 年华南理工大学考研复习指导
专业课一对一、集训保录、复试保过
考研阅卷人指导:
考研最关键的就是——复习规划、把握重点、模拟练习
中山大学 、华南理工大学403 分状元指导:
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考研英语94 分学员指导:
复习英语最重要的就是:单词+真题。背诵单词倡导的是只
记住意思,不用记忆拼写;分析真题倡导的是找到对错的依据。
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华南理工大学
攻读硕士学位研究生入学考试练习题
(试卷上做答无效,请在答题纸上做答,试后本卷必须与答题纸一同交回)
科目名称:电子技术基础(含数字与模拟电路)
适用专业:生物医学工程 声学 光学 微电子学与固体电子学
第一部分:模拟电路
一、 填空题 (共 10 分,每小题 2 分)
1、由二极管 D 和正偏直流电源 V ,交流信号源υ s 及负载 R 构成的串连电路,当 V =3V 时,测得 R 上的
L L
交流压降υ =100mV。若调节V =4V,其他参数不变,则υ 100mV。
L L
2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生 失真,这种失真属于 失
真。
3、放大器中的噪声是 是放大器中 所造成的。放大器的噪声系数 NF 的定
义是: 。
4 、某负反馈放大电路,其开环增益Ag =100mS,反馈系数 Fr=10KΩ,开环输入电阻 Ri =3KΩ,则其闭环
输入电阻 Rif = 。(Ri 和 Rif 均为未考虑偏置电阻的输入电阻)
5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由
和 电路两部分组成。
二、分析与计算题
1.(8 分)对于增强型 n 沟 MOSFET ,
1)写出其在线性区的伏安特性表达式;
2 )在 VDS >>2 (VGS -VTH )条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式;
2
3 )已知 MOSFET 的 μ n ·Cox =50μ A/V ,VTH =0.7V, 当 VGS =2.5V ,求此时该 MOSFET 的等效导通电
阻 RON =?
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2 .(10 分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题
1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少 dB ?
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