超深亚微米标准单元库的可制造性设计技术研究.pdfVIP

宽按照摩尔定律迅速减小。2007年的商业化半导体芯片主流制造技术已经达到 志着集成电路工业己进入了纳米级时代。 lTRsProduct Trends Technology r…i矗篙篙纛孟…一 2007 2-yr ：扩lash cycleextendedl rr麓黜}懋竺nc竺璺一悖nds。～一。’。。…………一· 0 HaIf·PitCh，Gate-Lenath 善 i 萋至 差 耋 巡竺竺=竺。———／＼————————、。，————————一／ 约07-∞毖服SR柏钟 图1．12007年ITRS技术发展路线图 1．2Ic设计简介 集成电路的飞速发展，一方面需要不断更新的制造工艺的支持，同时也依赖于集 成电路设计技术的不断进步。经过几十年的发展，集成电路工业生产具有一套基本 的从集成电路的设计到版图掩模的制造到最后的芯片生产的完整流程，如图1．2所 示。 在集成电路技术进入超深亚微米和纳米级时代以后，由于制造工艺特征尺寸缩 小，系统复杂度增高，设计性能要求更高，制造设备成本呈指数级增长等，使得集 成电路设计面临更多方面的挑战。事实上，工艺制造方留给集成电路设计方的设计 裕量在不断减小。多种全新工艺步骤的引入和快速发展，新的约束条件的增加，以 响，使得介于逻辑设计和工艺制造之间的集成电路物理设计面临了更大的压力。物 4 理设计不仅要实现功能设计、逻辑设计和电路设计的要求，而且要优化面积、速度 等诸多因素，同时还要综合考虑在制造阶段面临的工艺条件的各种约束，这已成为 集成电路设计技术中的一个前沿课题。 集成电路 药订立蹴设}}_ Fj了了笋二] [兰警≯墨 缎成电路 万i爿苟没}{一 鲟乏成吨§譬嚣 L…譬外学专u掣堡登! l f矗lj j盘 ≤。17 ，lI；|、，；l』、i≯j、l|，}j 集成电路复杂度的提高，单纯的人力设计已经不能应对所面临的众多挑战，使 得集成电路设计对电子设计自动化(EDA，ElectronicDesignAutomatjon)和计算机辅 Aided 助设计技术(CAD，ComputerDesign)的依赖性不断加大。然而，和目前集成 电路的制造工艺水平相比较，现在的设计技术落后大约两代的发展水平。因此，设 计技术很可能成为制约集成电路技术进一步发展的瓶颈。 1．3Ic制造工艺流程概况 集成电路的制造是一个十分复杂的高精度工艺过程，以此保证了集成电路芯片 的高性能和高成品率。目前整个芯片的制造过程包括了几百个具体的工艺步骤，这 些步骤大致可以分为以下三类，即： ◆图形转移：主要包括光刻、刻蚀等； 5 ◆薄膜制备：主要包括外延生长、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸 发)等；