二极管单向导电原理教案.ppt

半导体基础知识 PN结 二级管单向导电原理 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体。 常用的半导体材料是硅和锗, 它们都是四价元素。 将材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 1.结构 Si Si Si Si 共价键 价电子 一、本征半导体 若T ?，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子， 在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 2.载流子 半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子；带正电的空穴。 自由电子与空穴是同时成对产生的,两种载流子的浓度相等。 ni=pi 本征激发 复合 动态平衡 本征半导体中： 空穴 Si Si Si Si 自由 电子 掺入杂质的半导体： N 型半导体 P 型半导体 Si Si P+ Si 多余电子 Si（+4）+硼原子（+3） Si（+4）+磷原子（+5） 空穴数量 自由电子 导电能力 Si Si Si B+3 空穴 二、杂质半导体 1、 N 型半导体(Negative) （电子型半导体） 半导体中掺入五价元素构成. 多子：自由电子 少子：空穴 五价：磷、锑、砷 2、 P 型半导体(Positive) 半导体中掺入三价元素构成. 多子：空穴 少子：自由电子 （空穴半导体） 三价：硼、镓、铟 5 价杂质原子称为施主原子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 说明： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其 导电能力大大改善。 P型半导体： 空穴=自由电子+负离子数 N型半导体： 自由电子=空穴+正离子数 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 (a) N 型半导体 (b) P 型半导体 　1.2 PN 结 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体,另一侧掺杂成为N 型半导体,两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层,称为PN 结。 P N PN结 一、PN 结的形成 PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 2. 扩散运动形成空间电荷区 电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N * 3. 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 Uho 空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； N区到P区—— 内电场； 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　4. 漂移运动 内电场有利于少子运动—漂移。 阻挡层 * 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。 即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 　耗尽层 V R I 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 P N 什么是PN结的单向导电性？ 有什么作用？ * 限流电阻 处于导通状态 2. PN 结外加反向电压时 * 　耗尽层 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS 反向接法:外电场与内电场方向一致，增强了内电场的作用； 外电场使空间电荷区变宽； 漂移扩散,产生反向电流 IS ； 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。 处于截止状态(反偏) 　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　 综上所述： 可见， PN 结具有单向导电性。