雷射退火對射頻濺鍍氧化銦錫薄膜之性能影響分析研究生〆鍾承儒.pdf

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雷射退火對射頻濺鍍氧化銦錫薄膜之性能影響分析研究生〆鍾承儒

聖約翰科技大學 自動化及機電整合研究所 碩士學位論文 學號〆98M12008 雷射退火對射頻濺鍍氧化銦錫薄膜之性能 影響分析 Effects of laser annealing on RF sputtered ITO thin films 研 究 生〆鍾承儒 指導教授〆李再成 博士 中華民國 100 年 6 月 17日 I II III 雷射退火對射頻濺鍍氧化銦錫薄膜之性能影響分析 研 究 生〆鍾承儒 指導教授〆李再成 博士 時 間〆 100 年 6月 17日 論文摘要 目前隨著科技的進步時代潮流,在市面上關於手機螢幕、液晶電視等 相關顯示器,這些材料都以玻璃做為基材,但是對於未來方便化,人們都 要求把產品改變 為輕量化、更薄、甚至隨身攜帶方便可捲起來。所以逐漸 的採用軟性塑膠為基材,這樣的變化將成為一種新的趨勢和選擇。所以本 文主要是探討研究以RF射頻濺鍍機 沈積透明導電ITO(Indium tin oxide) 薄 膜於 PET(Polyethylene Terephthalate) 塑膠基材上,並施行 CO雷射退火表面 2 加工處理 。由於PET軟性基材和玻璃相比較之下會有明顯的差異,如在耐 熱方面也無法與玻璃相比,塑膠基材與 ITO的熱膨脹係數差異會造成薄膜 熱應力問題,使得在濺鍍時會造成 ITO 薄膜表面出現龜裂現象。為了避免 這種情況發生,本文以射頻濺鍍法及雷射退火技術至被氧化銦錫薄膜於聚 乙烯對苯二甲酸酯撓性基材表面上,改變射頻濺鍍攻率(40 W 、50 W 、60 W) 沈積於不同薄膜厚度(100 nm 、150 nm 、200 nm 、250 nm) ,並以不同進給速 率(150 mm/s 、200 mm/s)進行雷射退火處理,探討不同的製程參數所製作的 詴片,其光電特性、優選取向、晶體結構與機械性質等特性。經由 PL 光譜 儀、四點探針電組儀、X 光繞射儀、3D 表面輪廓移量測的影響。 關鍵字〆 RF射頻濺鍍、氧化銦錫、 X 光繞射儀、PL 光譜儀、CO雷射雕刻 2 機 IV ABSTRACT With advances in technology present trend of the times, the market for mobile phone screens, LCD TVs and other related displays, as these materials are glass substrates, but for convenience of the future, people are asked to change the product lightweight, thinner even easy to carry rolled up. So gradual

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