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                三极管场效应晶体管等
                    * * 【总结】当导电沟道没有预夹断时,ID随UDS增大而增大;当沟道出现预夹断后,ID不再受UDS影响而几乎保持不变,此时漏极电流由栅源电压控制。UGS愈负,耗尽层愈宽,导电沟道愈窄,沟道电阻愈大,在一定UDS作用下所产生漏极电流ID愈小,这样就实现了UGS对ID的控制。 N沟道结型管工作原理图 * * 3.特性曲线 (1)输出特性 场效应管输出特性是指:在栅源电压一定时,漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线,即 ID=?(UDS)|UGS=常数 * * 输出特性分为三个区——可变电阻区、恒流区(放大区)和夹断区。 N沟道结型管转移特性 N沟道结型管输出特性 * * 1)可变电阻区:UDS较小时,靠近纵轴部分称为可变电阻区。它表示管子在预夹断前电压与电流关系。该区域中ID几乎正比UDS,并且随UGS负值增加,输出特性曲线斜率减小,电阻增大。场效应管在这一区域工作时,可以看成一个由电压UGS控制的可变电阻。 2)恒流区(放大区):漏极特性曲线近似水平部分叫恒流区。它表示管子预夹断后电压与电流关系。漏极电流ID几乎不随UDS变化,输出特性曲线趋于水平。该区域中ID大小仅受UGS控制,UGS愈负,则ID愈小。场效应管在这一区域工作,可以看成一个受电压UGS控制的电流源。场效应管作为放大器件使用,是工作在这个区域,所以又叫做放大区。 * * 3)夹断区:当|UGS|≥|UGS(off)|时,所对应输出特性曲线靠近横轴部分叫夹断区。此时,N沟道完全被夹断,ID=0,场效应管为截止状态。 (2)转移特性    场效应管转移特性是指:在漏源电压UDS一定时,漏极电流ID与栅源电压UGS之间关系,即 ID=?(UGS)|UDS=常数 ID可以近似表示为                                                  UGS(off)≤UGS≤0 * * 1.4.2 绝缘栅型场效应管   1.绝缘栅型场效应管的结构  无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管,都只有一种载流子导电,均为单极型电压控制器件。 * * 【特点】 (1)单极性器件(一种载流子导电) (2)输入电阻高 (107 ? 1015 ?,IGFET 可高达 1015  ?) (3)工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 * * 2.绝缘栅型场效应管的工作原理与特性曲线 耗尽型:UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型:UGS=0时漏、源极之间不存在原始导电沟道,加电才能形成导电沟道。 * * (1)N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 耗尽型场效应管存在原始导电沟道 * * UGS=0时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压UDS作用下的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。 UGS0时沟道内感应出的负电荷增多,沟道加宽,沟道电阻减小,ID增大。 UGS0时会在沟道内产生出正电荷与原始负电荷复合,沟道变窄,沟道电阻增大, ID减小。 UGS达到一定负值时,沟道内载流子全部复合耗尽,沟道被夹断,ID=0,这时的UGS称为夹断电压UGS(off)。 * * (2)N沟道增强型场效应管的特性曲线 * * 增强型场效应管不存在原始导电沟道 (1)UGS=0时场效应管不能导通,ID=0 。  (2)UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。UGS增加,负电荷数量增多,形成导电沟道,漏、源极之间有ID出现。在一定的漏、源电压UDS下,使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压UGS(th)。  (3)UGS UGS(th)时,ID=0;  (4)UGS UGS(th)时,随UGS的增加ID增大。 * * 综上所述,场效应管的漏极电流ID受栅、源电压UGS的控制,即ID随UGS的变化而变化,所以场效应管是一种电压控制器件。场效应管栅、源电压UGS对漏极ID控制作用的大小用跨导gm表示。 按场效应管的工作情况可将漏极特性曲线分为两个区域。在虚线左边的区域内称为可变电阻区,输出电阻ro较小,且可改变。在虚线右边的区域内称为放大区,输出电阻ro很大,在栅、源电压UGS增大时,漏极电流ID随UGS线性增大  * * 1.4.3 绝缘栅型场效应管的主要参数 场效应管的主要参数除输入电阻RGS、漏极饱和电流IDSS、夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)外,还有以下重要参数: 1.跨导gm:反映了uGS 对 iD 的控制能力 * * 2.通态电阻。在确定的栅、源电压UGS下,场效应管进入饱和导通时,漏极和源极之间的电阻称为通态电阻。通态电阻的大小决定了管子的开通损耗。 3.最大漏、源击穿电压UDS(BR)。指漏极与源极之间的反向击穿电压。 4.漏极最大耗散功率PDM:受温度限制。 * * 【场效应管使用注意事项】 1.绝缘栅场效应管的输入电阻很
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