数字电路与逻辑设计3-4(精品·公开课件).pptVIP

* * 3.4　MOS逻辑门 3.4.1　MOS晶体管 3.4.2　MOS反相器和门电路 图3-4-1 N沟道增强型MOS管 N+ N+ S G D SiO2 P-Si (a) 结构示意图 (b) 符号 S G D 3.4.1　MOS晶体管 　　MOS（Metal Oxide Semiconductor）集成电路的基本元件是MOS晶体管。MOS管有三个电极：源极S、漏极D和栅极G。它是用栅极电压来控制漏源电流。 　　MOS管有P型沟道和N型沟道两种，按其工作特性又分为增强型和耗尽型两类。下面以N沟道增强型MOS管为例进行讨论。 图3-4-2 N沟道增强型MOS管输出特性曲线 O iDS vDS (Ⅰ)非饱和区 (Ⅱ)非饱和区 (Ⅲ)截止区 vDS= vGS-VGS(th)N vGS0 　　１．输出特性曲线和阈值电压 　　输出特性曲线表示在一定栅源电压vGS下，漏源电流iDS和漏源电压vDS之间的关系。 　　非饱和区：vDS很小，当满足vDS(vGS-VGS(th)N)时， iDS基本上随vDS线性上升。vGS越大，曲线越陡，相应等效电阻越小。该区域又称为可调电阻区域。 　　饱和区：当vDS≥(vGS-VGS(th)N)以后，漏极附近的沟道被夹断。iDS不随vDS线性上升，而是达到某一数值，几乎近似不变。 图3-4-3 N沟道MOS 管转移特性 O i