《基于NOR的非易失存储器设计》-毕业论文设计.docVIP

苏州市职业大学电子信息工程系毕业论文(设计) PAGE PAGE 19 PAGE 19 摘 要 基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失性存储器。本文着重介绍了基于NOR的非易失性存储器的设计，分析了基于NOR的非易失存储器的工作原理和应用前景；设计了一个64位的该寄存器的电路图和版图；通过对版图和电路图DRC和LVS的验证，最终得出了正确的版图和电路图。本文还阐述了关于版图设计方面的相关知识。 关键词：存储器；非易失性；NOR；版图设计；DRC Abstract The flash based on the concept of the floating gate has become the most general nonvolatile memory because of its small unit size and good working performance. This paper mainly introduced the design of nonvolatile memory based on NOR gate. The working principles and application prospects of the nonvolatile memory based on NOR gate have been detailed analyzed. The schematic and layout of the 64-bit circuit has been designed, which pass through the DRC and LVS, thus verifies the correct designing. This paper also introduces some relevant knowledge about layout design. Keywords: Memory; Non-volatile; NOR; Layout design; DRC 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc325188401 第1章 绪论 PAGEREF _Toc325188401 \h 1 HYPERLINK \l _Toc325188402 1.1 半导体存储器 PAGEREF _Toc325188402 \h 1 HYPERLINK \l _Toc325188403 1.1.1 动态随机存储器（DRAM） PAGEREF _Toc325188403 \h 1 HYPERLINK \l _Toc325188404 1.1.2 静态随机存取存储器（SRAM） PAGEREF _Toc325188404 \h 2 HYPERLINK \l _Toc325188405 1.2 非易失性存储器（NVW） PAGEREF _Toc325188405 \h 3 HYPERLINK \l _Toc325188406 1.2.1铁电存储器(FeRAM) PAGEREF _Toc325188406 \h 3 HYPERLINK \l _Toc325188407 1.2.2磁性随机存储器(MRAM) PAGEREF _Toc325188407 \h 4 HYPERLINK \l _Toc325188408 1.3 浮栅场效应管 PAGEREF _Toc325188408 \h 5 HYPERLINK \l _Toc325188409 第2章 基于NOR非易失存储器电路设计 PAGEREF _Toc325188409 \h 7 HYPERLINK \l _Toc325188410 第3章 基于NOR的非易失存储器版图设计 PAGEREF _Toc325188410 \h 9 HYPERLINK \l _Toc325188411 3.1 版图设计流程 PAGEREF _Toc325188411 \h 9 HYPERLINK \l _Toc325188412 3.2 版图设计规则 PAGEREF _Toc325188412 \h 9 HYPERLINK \l _Toc325188413 3.2.1 线宽规则 PAGEREF _Toc325188413 \h 10 HYPERLINK \l _Toc325188414 3.2.2 间距规则 PAGEREF _Toc325188414 \h 10 HYPERLINK \l _Toc325188415 3.2.3 交叠规则 PAGEREF _Toc325188415 \h 11 HYPERLINK \l _Toc325