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磁性离子掺杂硒化银系列材料的制备工艺及性能研究-凝聚态物理专业论文
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华 中科技大学 硕士
华 中
科
技
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学 硕
士
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文
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摘 要
非化学计量比硫族银化物材料的磁电阻值随着磁场变化呈现一种良好的线性关 系且在较高的磁场条件下仍未达到饱和,其磁电阻数值可与庞磁电阻材料相媲美。 这种性质对于非磁性的硫族银化物材料而言是可贵的,且其在磁技术和信息存储等 方面有着极大的应用前景,引起研究人员的广泛关注,进而通过实验探索了低温α相 自掺杂硫族银化物系列材料产生线性磁电阻效应(LMR)的物理原理及其应用前景。 目前对于这类材料线性磁电阻物理机制的解释,主要有以下三个观点:Abrikosov 的 量子磁电阻效应、Parish 和 Littlewood 的随机电阻网络模型理论以及 Zhang 等人的拓 扑绝缘体的观点。然而其背后的物理机制还并没有一个很明确、普遍认可的理论来 合理解释它。因此对于自掺杂硫族银化物体系还需要更多实验及更进一步理论探索。 本文首先采用两步合成法制备 Mn 掺杂 Ag2Se 体系材料以便能够改进硒化银材 料的性能。通过一系列不同反应条件下所得粉体样品实验结果的对比分析,最终确 定溶剂热法制备 Mn 掺杂的 Ag2Se 体系材料的最佳工艺流程——催化剂为 KBH4,反 应溶剂为二乙胺,保温时间为 12h,反应温度为 180℃。总结分析在二乙胺强碱性溶 剂下掺杂体系的化学反应机理。分析所得粉体样品热重测试的结果,确定固相反应
中样品最佳烧结的温度为 370℃~550℃。 然后我们利用相关测试手段对最佳工艺下制备一系列 Mn 掺杂的粉体产物进行
微观物理性能及光学性能分析讨论。研究发现,样品成分纯净,其中 Mn 原子是以+ 2 价离子态形式替位掺杂于 Ag2Se 晶格中,形成了固溶体,其固溶极限约为 22%。 此时 Ag 元素存在价态主要为 Ag+,可能存在 Ag 单质价态。产物晶体的微观形貌中 存在纳米颗粒与微量纳米线两种生长形貌,且部分纳米颗粒团簇聚集生长为类层状 的大块晶粒。利用紫外可见分光光度计对样品吸收光谱进行分析,样品的能量带隙 为 0.62~0.75eV,比文献中 Ag2Se 的报到值 1.56eV 低一些,这可能是由晶体中磁性 离子 Mn 的掺入所导致的。
最后分别探讨了溶剂热法制备磁性离子 Ni 掺杂的 Ag2Se 固溶体与 Cu 掺杂的
II
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CuAgSe 三元化合物体系的工艺参数以及通过相应制备工艺所得样品的测试表征。通
过相关测试手段对不同反应条件下制备出的样品进行比较分析,分别确定这两种掺 杂体系的最佳工艺参数。对于一系列 Ni 掺杂的 Ag2Se 粉末体系,样品与 Mn 掺杂体 系类似,Ni 原子是以+2 价离子态形式替位掺杂于 Ag2Se 主晶格中,形成了固溶体, 其掺杂的固溶极限为 12%左右。对于 Cu 掺杂制备纯相 CuAgSe 体系,初步确定其最 佳掺杂原料比例在 Cu:Ag=1.5 微小变化范围内。 关键词:硒化银,磁性掺杂,两步合成法,线性磁电阻效应
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Abstract
The magnetoresistance of non-stoichiometric silver chalcogenide presents a good linear relation with the applied magnetic field and keeps a nonsaturating state under higher magnetic field, the magnetoresistance can be comparable with colossal magnetoresistance materials. This nature for nonmagnetic silver chalcog
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