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溶胶–凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能-硅酸盐学报
第38 卷第10 期 马巧云等:快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷 · 1931 ·
第38 卷第10 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 38 ,No. 10
2 0 1 0 年 1 0 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October ,2010
溶胶–凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能
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谢建军 ,林 挺 ,施 鹰 ,宋国新 ,吴卫平
(1. 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200072 ;2. 上海复旦大学分析测试中心,上海 200433 ;
3. 上海兴博窿精细化工有限公司,上海 200040)
摘 要:采用溶胶–凝胶法制备了Lu SiO :Ce 粉体。基于X 射线衍射、透射电镜、紫外–可见激发发射、X 射线激发发射和荧光衰减时间的测试,
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研究了溶胶–凝胶法制备的纳米Lu SiO :Ce 粉体的物相结构和发光性能。结果表明:在 1 000 ℃煅烧2 h 得到粒径约为40 nm 的纯Lu SiO :Ce 粉体;
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其激发谱中的最强激发峰在360 nm 处,发射谱中在398~407 nm 范围有以407 nm 为中心的宽发射峰,归因为Ce3+ 的4f –5d 间的电子跃迁。在X
射线激发下Lu SiO :Ce 粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ = 10.98 ns 和τ = 39.32 ns ,相应的发光强度比例分别为73.38%和
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21.29% 。
关键词:硅酸镥;纳米粉体;荧光发光;衰减时间
中图分类号:O734 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2010)10–1931–06
LUMINESCENCE PROPERTIES OF NANO-SIZED Lu SiO :Ce PHOSPHORS PREPARED BY
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SOL–GEL METHOD
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XIE Jianjun ,LIN Ting ,SHI Ying ,SONG Guoxin ,WU Weiping
(1. Department of Electronics and Information Materials, School of Materials Science and Eng
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