单晶硅表面钝化及HIT电池性能提升研究-光学工程专业论文.docx

保护知识产权声明 本人为申请河北大学学位所提交的题日为锵幽幽 Gs.Hl1也协硝蝉 论文 ，是我个人在导师情很倒手指导并与导师合作下取得的研究成果，研究工作及 取得的研究成果是在河北大学所提供的研究经费及导师的研究经费资助下完成的。本人 完全了解并严格遵守中华人民共 和国为保护知识产权所制定的各项法律、行政法规以及 河北大学的相关规定。 本人声明如下 :本论文的成果归河北大学所有，未经征得指导教师和河北大学的书 面同意和授权，本人保证不以任何形式公开和传播科研成果和科研工作内容。如果违反 本声明，本人愿意承 担相应法律责任。 声明人: 她 日期: ).o 1S 年{月J一日 作者签名 : 捡篮 导叩签名: i斗 幻黯〈主 日期:主 年_6 月二一日 日期: 2必二年_l_月→ 日 摘 摘 要 I I 摘 要 开展高效电池及其关键技术的研究对顺应光伏行业高效率低成本的发展趋势具有 重要意义。采用本征非晶硅薄膜(a-Si:H(i))钝化的异质结(HIT)太阳电池由于具有高转化 效率及低制备能耗的优点成为备受科研及产业界关注的高效电池技术之一。 本论文首先从 HIT 电池的关键技术—表面钝化入手，采用等离子体化学气相沉积 (PECVD)技术研究了硅烷浓度、气体压强、流量和功率对 a-Si:H(i)薄膜性能的影响。在 优化的 PECVD 沉积条件下，进一步优化单晶硅表面湿化学工艺，结合后退火实现了 a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)异质结构有效少子寿命4ms 的优良钝化效果，并且发现 a-Si:H(i) 薄膜的生长温度与退火温度的有效匹配可大幅增强退火效果。通过优化 PECVD 沉积工 艺条件和合适的后退火工艺，n 型非晶硅(a-Si:H(n))薄膜的电导率达到 100S/cm，p 型非 晶 硅 薄 膜 (a-Si:H(p)) 的 电 导 率 最 高 可 达 10-5S/cm 。 结 合 优 化 a-Si:H(i) 工 艺 ， a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)叠层结构的少子寿命高达 3.7ms。 本论文研究了少子寿命与电池性能的关系，发现随着少子寿命的上升，电池的开路 电压(Voc)也快速提升，当少子寿命超过 2ms 时，Voc 开始饱和，因此少子寿命可以作为 一个电池生产过程的有效在线监控指标，这个现象可以用准费米能级差来进行解释。 对于 n 型衬底 HIT 电池，a-Si:H(p)非常关键，本论文发现对 p 层薄膜采用低温沉积 高温后退火的方式要优于直接高温长的方式，该方法提升了窗口层的电导率，降低了串 联电阻，并且改善了 a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)结构的钝化效果。在此基 础上制备成的 HIT 电池的性能得到有效提高，其中，Voc 从 663mV 提升到 700mV，FF 达到 72.35%，转换效率达到 16.26%。在优化栅线电阻和金/半接触电阻的基础上，采用 表面制绒 CZ 硅片的 HIT 电池效率提升至 17.2%。 关键词 本征和掺杂非晶硅 PECVD 表面钝化 退火 HIT 电池 Abst Abstract Abst Abstract III III PAGE PAGE VI Abstract Further reduction of photovoltaic (PV) system cost is a determinative factor to promote the application of the solar PV energy. The relatively low conversion efficiency and the too high fabrication cost of solar panels are the two main factors that limit the system cost reduction. The heterojunction with intrinsic thin-layer (HIT) solar cell is one of the most promising technologies that enable both high efficiency and low cost. In this thesis, the surface passivation of monocrystalline silicon (c-Si), a key technology of HIT solar cells, is first studied. By inserting a high-quality intrinsic