线阵列半导体激光器高效激励源技术-研究.pdfVIP

第一章 绪论 1．1半导体激光器的发展及应用 1．1．1半导体激光器的发展 laser)是用半导体材料作为工作物质而产生受激发 半导体激光器(Semiconductor 射的一类激光器n1。其激励方式主要有三种：电注入式，光泵式及高能电子束激励式瞳1。 第一种类型的器件也称注入型半导体激光器或者激光二极管，后两种类型的器件难于 实用化。其中，激光二极管发展速度之迅猛是其他两种类型激光器所无法比拟的，是 半导体激光器发展的主流。1960年，美国科学家研究出第一台GaAs同质结型半导体 激光器，从此进入了半导体激光器发展的新时代。半导体激光器的发展主要经历了三 个阶段：同质结激光器、异质结激光器以及量子阱结构激光器。 20世纪60年代初期，半导体激光器的发展处于同质结型激光器阶段。同质结型激 光器是在一种材料上制作的PN结二极管，在正向电流注入下，空穴向N区注入，电 子向P区注入，从而实现了载流子分布的反转，由于电子的迁移速度要比空穴的迁移 速度快，所以在有源区内会发生辐射、复合，最后发射出荧光，在一定的条件下可以 发射出激光，这是一种只能在液氮温度下以脉冲形式工作的半导体激光器，虽然毫无 实用价值，却证实了半导体激光器的基本