多层微米级薄膜残留应力暨力学特性量测-eTop-工程科技推展平台.PDFVIP

行 留力 力量 精 類 行 年年 行 立輪 參理 理 利 年 年 多層微米級薄膜殘留應力暨力學特性量測 楊政達 國立高雄海洋科技大學 輪機工程系暨研究所 E-mail: albert.yang@mail.nkmu.edu.tw -5 -4 摘要 加上薄膜矽晶結構偏斜量變化極小/ (約 10 -10 rad) ，其 表面大多為反射鏡面，一般非接觸量測法，如陰影疊紋 半導體及微機電製程中，薄膜機械性質及其與矽晶 法(Shadow Moiré)與電子光斑干涉術 ESPI (Electronics 間應力分佈對良率影響甚大，本研究將針對此兩問題， Speckle Pattern Interferometry)之光學量測系統並無法量 應用吾人之前開發之全域、高解析度之即時光學量測系 測，故反射鏡面量測方法 雷射掃瞄儀及反射疊紋法即- 統，以量測薄膜變形之偏斜量，進而計算雙層薄膜之殘 脫穎而出。另一方面，由於薄膜位移變形量極小，所造 留應力及反算雙層薄膜之機械性質。本研究主要分殘留 成雷射反射光束位置變化不大，需靈敏性極高之位置光 應力量測及力學機械性質反算兩部分，第一部分將以數 感測器 (Position-Sensitive Photodetector) 方可偵測薄膜 位相移反射疊紋法量測雙層薄膜之殘留應力，第二部分 變形，故應用吾人之前所發展全域量測之數位相移反射 以數位相移反射疊紋法所量測之雙向偏斜量，配合薄膜 疊紋法，便成為最佳選擇 [25] 。以下將針對薄膜殘留應 模型及遺傳演算法，反算雙層薄膜之機械性質。 力及膜機械性質量測作深入分析： 於殘留應力量測方面：(1)推導雙層薄膜矽晶結構/ 平均殘留應力方程式；(2)依量測之薄膜偏斜量計算薄膜 1.1 殘留應力 之殘留應力，發現各製程之鎳膜殘留應力大小依序為， 薄膜於成長製程中，常因薄膜與矽晶之晶格常數及 濺鍍鎳膜 無電鍍鎳膜 電鍍鎳膜；濺鍍銅膜殘留應 力約為 180.0MPa壓應力，而電鍍銅膜約為 81.6MPa 拉 熱膨脹係數等不同，使內應力(Internal Stresses)或殘留 應力。 應力 (Residual Stresses)存於薄膜 [1] 。典型計算殘留應力 大多以 Stoney 模型計算。板彎曲或樑彎曲法 於機械性質反算方面：(1)建構 ANSYS 正算模型， 並引進遺傳演算法進行最佳化求解。前者可簡單建構複 (Bending-plate or -Beam Methods)為最普遍被採用技 術，藉由板 /樑變形求得膜應力，為使變形易於量測， 雜結構體，後者可避免傳