《2012磁场》-公开·课件设计.pptVIP

霍尔效应 1、如图所示，在OXYZ坐标系中有一长方体金属导体，通有X轴正向电流。若在导体所在区域加一沿Z轴正方向的匀强磁场，则会出现的现象是 A．上表面电势高于下表面 B．上表面电势低于下表面 C．前表面电势高于后表面 D．前表面电势高于后表面 B a I x b y z c C A’ A C’ 23、（18分）半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求： （1）加在半导体A’A两个侧面的电压是多少？ （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？ （3）C、C’两个侧面哪个面电势较高？ （4）若测得C、C’两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？ 霍尔效应 23.（18分）利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。 如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力与洛