《场效应晶体管》-精选·课件设计.pptVIP

场效应晶体管 场效应管 1. 绝缘栅场效应管 ② 工作原理 ② 工作原理 ② 工作原理 ② 工作原理 ⑵ N沟道增强型MOS管的特性曲线 1.输出特性 ① 输出特性 ② 转移特性 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑷ N沟道耗尽型MOS管 ①工作原理 在制造过程中，向二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子，使得uGS=0V时，由正离子产生的电场就能吸引足够的电子产生反型层。如果加上正向uDS电压，就可以在感生沟道中产生iD电流。这种在uGS=0V时就存在导电沟道的场效应管称为耗尽型绝缘栅场效应管。 uGS0时，将加强由绝缘层中正离子产生的电场，感生沟道加宽， iD增大。 当栅、源极间加反向电压，即uGS0时，将削弱由绝缘层中正离子产生的电场，感生沟道变窄， iD减小。 当uGS达到某一负电压值Up时，完全抵消了由正离子产生的电场，则导电沟道消失。 iD ≈0。 Up称为夹断电压(Pinch off Voltage)。 ① 工作原理 ② 特性曲线 ③ 主要参数 2. 结型场效应管 结型场效应管常用英文缩写JFET来表示（Junction Field Effect Transistor)。 两种类型，分为N沟道和P沟道两类。 2. 结型场效应管 在一块N型半导体的两边制