《47传输门基本特性》-精选·课件设计.pptVIP

* * * 第四章 基本单元电路 4.7 传输门基本特性 * MOS传输门逻辑电路 NMOS/PMOS传输门特性 CMOS传输门特性 传输门的级联 NMOS传输门的电平恢复 * MOS传输门结构 NMOS传输门 Pass Transistor 源、漏端不固定 双向导通 CMOS传输门 Transmission Gate NMOS,PMOS并联 源、漏端不固定 栅极接相反信号 两管同时导通或 截止 CMOS反相器 NMOS,PMOS串联 源端接固定电位、 漏端输出 栅极接相同信号 两管轮流导通或 截止 * NMOS传输门传输高电平特性 源端 (G) (D) (s) VD=VG, 器件始终处于饱和区, 直到截止 （类似于饱和负载的特性） Vin=VDD,Vc=VDD * NMOS传输高电平 输出电压：有阈值损失 工作在饱和区，但是电流不恒定 衬偏效应 增加阈值损失 减小电流 低效传输高电平(电平质量差，充电电流小) Vin=VDD,Vc=VDD，Vout＝VDD－Vth * NMOS传输门传输低电平特性 漏端 (G) (s) (D) Hints:器件先处于饱和区，后处于线性区 （类似于CMOS反相器中 的NMOS管） Vin=0, Vc=VDD * NMOS传输低电平 输出电压：没有阈值损失 先工作在饱和区，后进入线形区 没有衬偏效应 高效传输低电