北京航空航天学《电子电路i》第一章 [4 fet zq]v2011.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 内容组织 N沟道JFET，VDS对沟道影响 内容组织 vGS的控制作用-栅源对沟道的影响演示 vDS的控制作用（漏源对沟道的影响演示） 场效应管（FET）小结 特点： 电场控制电流-输入电阻高 仅多子导电-温度稳定性好 类型： 结型：JFET N沟道、P沟道 绝缘栅型MOSFET ：N沟道D/E；P沟道D/E; 原理： JFET利用PN结反向电压控制耗尽层厚度，改变沟道宽窄，控制漏极电流； MOSFET利用栅源电压改变表面感生电荷，控制漏极电流。 随堂小测试（5min） 画出JFET的低频小信号模型？等效参数？ MOS管小信号等效电路？等效参数？ E型NMOS管的输出特性曲线： I区－可变电阻区II区－恒流区（放大区）III区－截止区 IV区－击穿区 保持vGS为不同固定值时，得到iD随vDS变化的一族曲线 1.4.4 耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理 1.4.4.1 D型NMOSFET工作原理 D型NMOS管和E型NMOS管结构基本相同，区别仅在于导电沟道事先存在，在vGS=0的时候，iD也不等于0。当vGS=VGS(off)时，导电沟道消失，iD=0。 vGS=0时iD0 E型 vGS +4 结论：①D型-平移关系-E型。转移曲线右移、输出曲线下移。②N、P沟道均一样！ （见课本对照表。） 1.4.4.2 E型PMOSFET工作原理 E型PMOS管和NMOS管的vGS和vDS电压极性相反，iD方向也相反。输出特性曲线的形状相似 输出特性曲线处于第三象限 E型NMOS N、P原点对称！ D型NMOS D、E平移！ 1.4.5 MOSFET的大信号特性方程 1.4.5.1 E型NMOSFET 1. 可变电阻区 条件：vGSVGS(th), vDS(vGS-VGS(th)) 电流方程： 式中：βn是管子的增益系数，单位为mA/V2 式中：μn是NMOS管沟道中电子的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L 是沟道宽度与长度之比 （式1.4.4） P43 vDS很小时（例如vDS0.1V），可简化为： 可见，vDS一定时，iD和vGS成线性关系。 这些特性曲线都近似为直线，直线的斜率由vGS控制 2. 临界恒流区 条件：vGSVGS(th), vDS=(vGS-VGS(th)) 以vDS=(vGS-VGS(th))代入式 1.4.4 后，得： 可见iD和vGS成平方率关系。 （式 1.4.7） P43 参见 P41 图 1.4.13 中相应虚线 3. 恒流区 条件：vGSVGS(th), vDS(vGS-VGS(th)) iD随vDS增加而稍有斜升，式 1.4.7 可改写成： （式 1.4.8） P44 式中：λ是沟道调制系数，典型值为 0.01V-1 参见 P41 图 1.4.13 1.4.5.2 E型PMOSFET 1. 可变电阻区 条件：vGSVGS(th), |vDS||vGS-VGS(th)| 电流方程： 式中：μp是PMOS管沟道中空穴的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L 是沟道宽度与长度之比 （式1.4.9） （式1.4.10） |vDS|很小时： 2. 恒流区 条件：vGSVGS(th), |vDS||vGS-VGS(th)| （式 1.4.13） 参见 P43 图 1.4.15 1.4.5.3 D型NMOSFET 可变电阻区特性方程： 恒流区特性方程： （λ = 0） D型：VGS(off)与E型：VGS(th) D型NMOS管饱和漏极电流IDSS为： 和JFET相同的是，IDSS和VGS(off)是描述它们特性的重要参数。JFET和D型NMOS管都是耗尽型，故用相同的符号VGS(off)表示夹断电压。增强型管用VGS(th)表示开启电压。 四种 MOS的关系：曲线关系！ E型PMOS。输出特性曲线处于第三象限 E型NMOS N、P原点对称！ D型NMOS D、E平移！ 思考题：四种MOS管的表达式有何关系？ 课后整理成表格形式！ 1.4.6 MOSFET亚阈区的传输特性 实际上，MOS管存在弱反型层，对NMOS管，在vGSVGS(th)时，就已有漏极电流iD。这种现象称为亚阈区导电效应。 对数坐标 亚阈区的特性方程： （式1.4.19） P46 式中：ID0称为特征电流。 n是与衬底调制有关的因子。约为 1.5～3 。 亚阈区的跨导 gmsub： BJT的跨导 gm： 可见，MOS管在亚阈区的放大能力接近于BJT。 1.4.7 MOSFET的体效应和背栅控制特性 在vBS≠0的情况下，vBS对导电沟道也有一定的控制能力，