【大学课件】51单片机存储器系统扩展技术(P51)知识分享.pptVIP

二、程序存储器的扩展电路 　27128A EPROM扩展电路（16K） 　EEPROM扩展电路（２K） 8.5.2 数据存储器的扩展 一、数据存储器的扩展方法及时序 返回本章首页 图为6264 静态数据存储器的扩展电路 数据存储器的扩展概述 单片机与数据存储器的连接方法和程序存储器连接方法大致相同，简述如下： ? 1. 地址线的连接，与程序存储器连法相同。 ? 2. 数据线的连接，与程序存储器连法相同。 ? 3 .控制线的连接，主要有下列控制信号： 存储器读信号OE和单片机读信号RD相连即和P3.7相连。 存储器写信号WE和单片机写信号WR相连即和P3.6相连。 ALE：其连接方法与程序存储器相同。 使用时应注意，访问内部或外部数据存储器时，应分别使用MOV及MOVX指令。 外部数据存储器通常设置二个数据区： （1） 低8位地址线寻址的外部数据区。此区域寻址空间为256个字节。CPU可以使用下列读写指令来访问此存贮区。 读存储器数据指令：MOVX　　A　　，＠Rｉ 写存储器数据指令：MOVX　　＠Rｉ，A 　　由于8位寻址指令占字节少，程序运行速度快，所以经常采用。 （2） 16位地址线寻址的外部数据区。当外部RAM容量较大，要访问RAM地址空间大于256个字节时，则要采用如下16位寻址指令。 读存储器数据指令：MOVX　　A　，＠DPTR 写存储器数据指令：MOVX　　＠DPTR　，A 由于DPTR为16位的地址指针，故可寻址64KRAM字节单元 由于程序存储器的读控制信号PSEN与数据存储器的RD、WR控制信号是相互独立的，不会同时有效，固各自的64K地址空间是相互独立的。 第8章 单片机存储器及系统扩展技术 8.1 51系统扩展简介 8.2 半导体存储器的分类 8.3 随机存取存储器（RAM） 8.4 只读存储器（ROM） 8.5 CPU与存储器的连接 8.6 MCS-51存储器的扩展 8.1 51单片机系统扩展简介 3、扩展内容 单片机系统扩展是指内部各功能部件不能满足应用系统要求时，在片外连接相应的外围芯片以满足应用系统要求。80C5l系列单片机有很强的外部扩展能力，外围扩展电路芯片大多是一些常规芯片，扩展电路及扩展方法较典型、规范。用户很容易通过标准扩展电路来构成较大规模的应用系统。 51系列单片机的系统扩展有程序存储器(ROM)扩展、数据存储器(RAM)扩展、I/O口扩展、中断系统扩展以及其它特殊功能扩展 8.1 51系统扩展简介 4、扩展方法 对于单片机系统扩展的方法有并行扩展法和串行扩展法两种。并行扩展法是指利用单片机的三组总线（AB、DB、CB）进行的系统扩展；串行扩展法是指利用SPI三线总线和I2C双总线的串行系统扩展。 串行扩展法具有显著的优点。串行接口器件体积小，所占用电路板的空间，仅为并行接口器件的10%，明显地减小了电路板空间和成本；串行接口器件与单片机接口时需用的I/O口线很少（仅需3~4根），不仅减少了控制器的资源开销，而且极大地简化了连接，进而提高了可靠性。 8.1 51系统扩展简介 但是，一般串行接口器件速度较慢，在需用高速应用的场合，还是并行扩展法占主导地位。在进行系统扩展时，应对单片机的系统扩展能力、扩展总线结构及扩展应用特点有所了解，这样才能顺利地完成系统扩展任务。 单片机都是通过芯片的引脚进行系统扩展的。80C51系列单片机芯片引脚构成三总线结构，即地址总线(AB)、数据总线(DB)和控制总线(CB)。所有的外部芯片都通过这三组总线进行扩展。 8.2 半导体存储器的分类 一、半导体存储器的分类 1、 只读存储器（ROM） （1） 掩膜工艺ROM （2）可一次性编程ROM（PROM） （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快擦写ROM（flash ROM） Intel公司的27系列产品：2716（2K）2732（4K） 2764（8K）27128（16K） 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 1) 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读 2) PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元 熔丝熔断，信息永久写入，不可