模拟电子术（张学军）第2章 双极型晶体管及其.ppt

第2章 双极型晶体管及其放大电路 2―1 双极型晶体管的工作原理 2―2 晶体管伏安特性曲线及参数 2―3 晶体管放大电路的放大原理 2―4 放大电路的静态分析与设计 2―5 共射放大电路的动态分析与设计 2―6 共集放大电路（射极输出器）2―7 共基放大电路2―8 多级放大电路 上次课内容复习： 1.什么是势垒电容？什么是扩散电容？ 2.什么是晶体二极管的直流电阻和交流电阻？物理意义？ 3.Page 19 1-1题 4.Page 19 1-2题 5.Page 20 1-5(a)题 6.Page 20 1-6题 2.1 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管又称为半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管。 构成：三层杂质半导体（三个区）：发射区、集电区、基区 三个电极：基极b、发射极e、集电极c 两个PN结：基区与发射区间的PN结称发射结（e结） 基区和集电区间的PN结称集电结（c结） 分类：NPN型、PNP型 结构：如图2.1.1(a)所示。 特点：发射区重掺杂；基区很薄；c结面积大于e结面积。 晶体管处于放大状态的基本条件是：发射结正偏、集电结反偏。 晶体管发射区的作用是：向基区注入载流子； 基区的作用是：传送和控制载流子； 集电区的作用是：收集载流子。 管内载流子的运动情况如图2.1.3所示。 1、发射区向基区注入电子 e结正偏，从发射区注入基区的电子，形成电子注入电流IEN。同时，从基区注入发射区的空穴，形成空穴注入电流IEP。而基区的空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以IEPIEN，即发射结电流IE≈IEN，方向与电子注入方向相反。  2、电子在基区中的扩散与复合 注入基区的电子，成为基区中的非平衡少子，它在e结处浓度最大，而在c结处浓度最小(因c结反偏，电子浓度近似为零)。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。在该浓度差作用下，注入基区的电子将继续向c结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基区中的空穴相遇，使部分电子因复合而失去。但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c结边沿。基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN，它是基极电流IB的主要部分。 3、扩散到集电结的电子被集电区收集 集电结反偏，在结内形成了较强的电场，因而，使扩散到c结边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN。该电流是构成集电极电流IC的主要部分。 另外，集电区和基区的少子在c结反向电压作用下，向对方漂移形成c结反向饱和电流ICBO，并流过集电极和基极支路，构成IC 、IB的另一部分电流。 二、电流分配关系 1.晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间关系： 3. 共基极直流电流放大系数 ：反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系， 2.2 晶体管伏安特性曲线及参数 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。图2.2.1所示。 共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 2.2.1共发射极输出特性曲线 测量电路：如图2.2.2所示。 定义：共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。 特点：  由于基调效应很微弱， uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。 3．截止区 e结和c结均处于反偏，且iB≤-ICBO的区域为截止区。 2.2.2共发射极输入特性曲线 (1)uCE≥1V时，当uBEUBE(on)时，iB≈0。 当uBE UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开 始 按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2) uCE =0