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工作记忆中的前摄干扰作用研究-病理学与病理生理学专业论文.docx

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工作记忆中的前摄干扰作用研究-病理学与病理生理学专业论文

工作记忆中的前摄干扰作用研究 工作记忆中的前摄干扰作用研究 I I 摘 要 工作记忆是顺利完成高级认知任务的基础。前摄干扰(proactive interference)是对工作记 忆具有影响的因素之一,因此考察干扰刺激表征的作用及人们如何克服干扰具有重要的研 究意义。 本研究包含三个实验。实验一采用工作记忆的选择任务,通过一系列行为实验,系统 地考察了靶刺激表征与干扰刺激表征之间的竞争。首先让被试学习一系列字母,接着通过 提示刺激指示被试记住一部分字母并忽略其余的字母。被记住的字母成为靶刺激系列,被 忽略的字母成为干扰刺激系列。当提示刺激为靶刺激系列时,我们把这种条件叫做“记住” 条件;当提示刺激为干扰刺激系列时,我们把这种条件叫做“忘记”条件。提示刺激消失 后,屏幕上出现探测刺激,要求被试判断探测刺激是否属于靶刺激系列。 研究中,通过调控提示刺激类型和提示刺激与探测刺激之间的时间间隔来检测工作记 忆选择的难度。研究发现,在“记住”条件下,提示刺激通过重复呈现靶刺激,增强了靶 刺激表征,从而促进了工作记忆的选择,使被试对探测刺激做出更快的判断。然而,“忘 记”条件下,尽管提示刺激重复呈现了干扰刺激使干扰刺激的表征得到增强,但却并没有 阻碍工作记忆的选择加工过程。这一研究结果为相对激活假说提供了部分支持,说明工作 记忆的选择也许更多依赖于靶刺激表征的激活增强,而不是依赖于干扰刺激表征的激活减 弱。 实验二和实验三采用事件相关电位技术(event-related potential,ERP),分别考察了指导 性遗忘任务和最近探测刺激任务中前摄干扰效应的电生理指标及其相关意义。指导性遗忘 任务相当于实验一中的“忘记”条件。根据探测刺激的选择将实验条件分为三类。当探测 刺激属于靶刺激系列,为正反应条件;当探测刺激是当前测试中没有出现过的项目,为负 反应条件;当探测刺激是被“忘记”的项目,则为干扰条件。我们认为干扰条件与负反应 条件之间的差异就是前摄干扰效应。 最近探测刺激任务中,首先要求被试学习四个字母,随后出现探测刺激,要求被试判 断探测刺激是否属于刚才学习过的字母。在这个任务中,为了控制探测刺激的熟悉性,使 每个测试中的 2 个学习字母都与上一轮测试中的两个字母相同,从而形成以下几种实验条 件:如果探测刺激在前一个测试及当前测试中都出现过,就属于熟悉性正反应;如果探测 II II 刺激仅在当前测试中出现过,属于非熟悉性正反应;如果探测刺激在前一个测试中出现过, 但不属于当前测试中的学习项目,属于熟悉性负反应;如果探测刺激在当前测试及最近的 前两个测试中都没有出现过,属于非熟悉性负反应。在这个任务中,熟悉性负反应与非熟 悉性负反应的差异反映了前摄干扰效应。 实验二的结果发现,干扰条件比负反应条件有更大的错误率和延长的反应时。电生理 证据方面,在额中央区发现一个 N2 成分,其波峰在探测刺激出现后 300 毫秒左右达到最 大,并且 N2 波幅在不同的实验条件下有一定差异,其中干扰条件的 N2 波幅显著小于负反 应条件下的 N2 波幅。随后的 P3 波幅对不同的实验条件无差异,但正反应条件的潜伏期要 早于负反应和干扰条件。通过分析,我们认为这个分布在额中央区的 N2 成分代表了前摄 干扰的解决。同时,这个负波也说明干扰的解决过程与靶/非靶刺激的辨别发生在同一时间 窗口。本研究为基于脑成像研究的偏向竞争模型提供了初步的电生理证据。 实验三也发现了位于脑前部区域的 N2 和 P3 成分。对于 N2 波幅,发现了显著的正、 负反应条件差异,正反应条件的 N2 波幅要小于负反应条件。而两种正条件之间与两种负 条件之间没有 N2 波幅的显著差异。此外,两种正反应的 P3 潜伏期均显著小于两种负反应 下的 P3 潜伏期。对熟悉性负反应和非熟悉性负反应的 P3 波幅进行分析,发现涉及前摄干 扰的熟悉性负反应 P3 波幅减小。因此我们认为,在这个任务中,P3 的波幅变化反映了前 摄干扰的解决过程。 结合实验二和实验三的结果,我们认为在本研究中,前部 N2 和 P3 成分分别代表了双 重加工理论中的两个过程:熟悉性信息加工和信息回忆。根据双重加工理论,再认是基于 熟悉度及信息回忆的一种综合判断,并且对熟悉度信息的提取要早于对情境信息的提取。 由于指导性遗忘任务和最近探测刺激任务中的记忆负荷不同,并且干扰刺激的表征激活强 度也不同,因此两种任务中前摄干扰发生作用和被解决的时程也有所不同。在两个实验中, 反映干扰效应的电生理成分波幅都有所减小,说明干扰的解决也许并非需要额外心理努力 的抑制过程。这与实验一的结果也是一致的,即正确的工作记忆选择是通过对靶刺激表征 的激活增强来实现的,而不是依靠干扰刺激表征的激活减小。 关键词:工作记忆,前摄干扰,事件相关电

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