Lecture27_第六章_等效电路_影响阈值电压的环境因素.pptxVIP

;Outline;MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。;;;2、温度增加，斜率的减小，是在高温下迁移率下降造成的;;饱和区的漏极电阻;对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大。;;(4) 栅极电容;1.2 串联电阻对电导gd和跨导gm的影响; ② 对输出电导的影响;;1.3 频率特性;; ;三 影响阈值电压的其他因素;阈值电压与衬底掺杂浓度、氧化层厚度的关系;控制阈值电压的方法：;（2）改变氧化层的厚度。这种方法广泛应用于MOSFET之间的隔离。这时，氧化层厚度比源漏区之外的氧化层（场区氧化层）薄得多。于是场区氧比层VTH比栅氧化层的VTH大得多。若将适当栅偏压同时加在栅极???化层和场区氧化层上，栅下形成了反型沟道，而场区氧化层下面的半导体表面仍保侍耗尽状态。;3.2. 衬底偏置的影响;为达到强反型，外加栅电压必须增强来补偿QB ，则有：; ; ;