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低温烧结(Zn1-xMgx)2SiO4基陶瓷的微波介电性能研究-材料学专业论文.docx

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低温烧结(Zn1-xMgx)2SiO4基陶瓷的微波介电性能研究-材料学专业论文

承诺书 本人声明所呈交的硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及所取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文 中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南京航 空航天大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。 本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部分内容编入 有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编 学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本承诺书) 作者签名: 日 期: 南京航空航天大学硕士学位论文 南京航空航天大学硕士学位论文 低温烧结 低温烧结(Zn1-xMgx)2SiO4 基陶瓷的微波介电性能研究 I I PAGE PAGE IV 摘 要 随着高频段的开发与利用,人们提出了 LTCC 技术来实现微波器件的叠层式设计以满足信号 的高质量与高速度传播,因此在 LTCC 技术中有广泛应用前景的高微波性能、低烧结温度的低介 电常数微波陶瓷成为当今研究的热点。综合考虑材料的性能与成本,本文以(Zn1-xMgx)2SiO4 体系 陶瓷为研究对象 ,通过密度测量 、XRD、SEM 及介电性能 分析获得高性能低烧结温度的 (Zn1-xMgx)2SiO4 基微波介质陶瓷。 本文确定(Zn0.8Mg0.2)2SiO4(x=0.2)为(Zn1-xMgx)2SiO4 体系中的最佳成分陶瓷,并发现添加适量 的 ZrO2 可以改善(Zn0.8Mg0.2)2SiO4 陶瓷的介电性能。经比较后发现添加 1.0wt%ZrO2 的 99wt% (Zn0.8Mg0.2)2SiO4+1.0wt%ZrO2 (ZMSZ)陶瓷在 1350?C 烧结 3h 后具备最佳致密性、低频介电性能: ρ = 3.9g·cm-3,εr ≈ 7,tan δ ≈ 10-5 (f ≈ 5 MHz)以及微波介电性能:?r = 6.35,Q?f = 9.33×104 GHz, ?f = -57.9ppm/?C。 ZMSZ 陶瓷因?f 值偏负而不能直接应用在微波电路中,本文通过复合添加 TiO2 对其?f 值进行 了 补偿 , 随着 TiO2 的添加 复合 陶 瓷 的 ?f 值 逐 渐 增 大 , 其中 添加 9wt%TiO2 的 91wt%ZMSZ+9wt%TiO2 (ZMSZT)样品经 1240°C/3h 烧结后对应谐振频率温度系数被调节至 -0.87ppm/?C,然而该复合陶瓷的烧结温度较高不能与 Ag/Cu 低温共烧。 单独或复合添加低熔点氧化物 B2O3 与 Li2O 均能提高 ZMSZT 陶瓷的烧结活性从而降低其烧 结温度。其中单独添加 3wt%B2O3 的 97wt%ZMSZT+3wt%B2O3 复合体经 960°C/3h 烧结后获得较 好的微波介电性能:?r ≈ 9.3,Q?f ≈ 2.8×104 GHz,τf ≈ 6.3ppm/?C;复合添加 1wt%B2O3+4wt%Li2O 助烧时,对应 ZMSZT 基复合陶瓷经 930°C/3h 烧结后获得更好的致密性及微波介电性:ρ = 3.86 g·cm-3,?r ≈ 9.4,Q?f ≈ 3×104 GHz,τf = -5.7 ppm/°C;然而当复合添加 3wt%B2O3+4wt%Li2O 助烧 剂时对应 ZMSZT 基复合陶瓷体的致密性及微波性能反而变差。因此通过控制添加剂含量能成功 地获得应用于 LTCC 技术中的(Zn0.8Mg0.2)2SiO4 基微波介质陶瓷材料。 关键词:微波陶瓷,(Zn1-xMgx)2SiO4,低温共烧(LTCC),介电性能,烧结助剂 Abstract With the development and utilization of microwave frequency, LTCC technology has been proposed to prepare the laminated microwave devices for high-quality and high-speed transmission. Thus, the low dielectric constant microwave ceramics with desirable properties and low sintering temperature have become a hot research field. In this thesis, the (Zn1-xMgx)2SiO4-based ceramic has been studied by means of XRD, SEM and the measurements of the density and dielectric properties to opt

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