低寄生电容ESD保护器件的分析-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

I I 摘 要 摘 要 随着半导体工艺技术的进步，集成电路的飞速发展，静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）对集成电路产品可靠性影响日益严重，ESD 保护面临重重困难 和挑战。尤其是在高频工作状态下电路的 ESD 保护，高鲁棒性 ESD 保护器件所带 来的寄生电容会对电路产生很大的影响。本文针对 ESD 保护器件的寄生电容展开 了研究，并进行了优化。 本 文 首 先 研 究 了 常 用 ESD 保 护 器 件 二 极 管 、 MOSFET 和 SCR （ Silicon Controlled Rectifier）的工作原理和寄生电容特性。二极管正向 ESD 保护能力强， 寄生电容小；MOSFET 由于栅结构的存在带来了大量的寄生电容，不适合用于高 频下的 ESD 保护；SCR 能在较小的芯片面积下达到很强的 ESD 保护能力，寄生电 容较小，但也存在触发电压高维持电压低的缺点。 针对正向二极管 ESD 电流泄放能力强寄生电容小的特点，研究了 N+/Psub 二极 管尺寸对其寄生电容的影响，并提出了通过优化二极管版图结构，增加 p-n 结周长 面积比的方法降低其寄生电容，从而设计了华夫饼形和八边形二极管版图以及对 应的去除 N+注入区中间部分的带孔二极管版图。带孔版图的低寄生电容特性要明 显优于无孔版图，在不同尺寸下寄生电容降低了 16%到 40%不等。八