低寄生电容ESD保护器件的分析-微电子学与固体电子学专业论文.docx

I I 摘 要 摘 要 随着半导体工艺技术的进步，集成电路的飞速发展，静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）对集成电路产品可靠性影响日益严重，ESD 保护面临重重困难 和挑战。尤其是在高频工作状态下电路的 ESD 保护，高鲁棒性 ESD 保护器件所带 来的寄生电容会对电路产生很大的影响。本文针对 ESD 保护器件的寄生电容展开 了研究，并进行了优化。 本 文 首 先 研 究 了 常 用 ESD 保 护 器 件 二 极 管 、 MOSFET 和 SCR （ Silicon Controlled Rectifier）的工作原理和寄生电容特性。二极管正向 ESD 保护能力强， 寄生电容小；MOSFET 由于栅结构的存在带来了大量的寄生电容，不适合用于高 频下的 ESD 保护；SCR 能在较小的芯片面积下达到很强的 ESD 保护能力，寄生电 容较小，但也存在触发电压高维持电压低的缺点。 针对正向二极管 ESD 电流泄放能力强寄生电容小的特点，研究了 N+/Psub 二极 管尺寸对其寄生电容的影响，并提出了通过优化二极管版图结构，增加 p-n 结周长 面积比的方法降低其寄生电容，从而设计了华夫饼形和八边形二极管版图以及对 应的去除 N+注入区中间部分的带孔二极管版图。带孔版图的低寄生电容特性要明 显优于无孔版图，在不同尺寸下寄生电容降低了 16%到 40%不等。八边形二极管 的低寄生电容特性要比华夫饼形优秀，反映低寄生电容特性的品质因数有明显提 高。 针对 SCR 器件寄生电容小触发电压高维持电压低的特点，研究优化了 SCR 版 图和能降低触发电压的 MSCR 版图，通过华夫饼型 SCR 和 MSCR 的版图设计可 以在保持 ESD 保护能力的基础上降低寄生电容。同时通过降低 MSCR 的触发区面 积可以有效降低其寄生电容，并保持触发电压不变。此外还研究了双向 SCR 的寄 生电容特性，双向 SCR 可以通过内部两组寄生电容相互串联降低寄生电容。利用 这一优势，通过添加触发区降低其触发电压并通过调整 P 阱中的 N+区与 N 阱的距 离调节其维持电压，但这也会增加其寄生电容。最终 PMDDSCR 能够在 17V 左右 触发，维持电压在 4~9V 之间可调，寄生电容最大可以保持在 200fF 左右。 关键字：静电放电，寄生电容，二极管，硅控整流器 II II ABSTRACT ABSTRACT As the rapid development of semiconductor process technology and integrated circuits, ESD (Electrostatic Discharge) has been increasingly influencing on the reliability of IC products. ESD protection confronts with more and more difficulty and challenges. Especially in the field of ESD protection of ICs under high frequency, the parasitic capacitance of high robust ESD protection devices will have a great influence on the circuits. In this paper, the research and optimization of ESD protection devices are presented. The operating principle and capacitance characteristics of the common ESD protection devices such as diode, MOSFT and SCR are researched. The forward diode has a strong ESD protection capability and small parasitic capacitance; MOSFET is not suitable for ESD protection under high frequency, because a lot of parasitic capacitance is brought in by the gate structure; SCR can achieve strong ESD protection capability in a small chip area, so it has small