低温制备集成电路互连高密度碳纳米管的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取 得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他 人已经发表成撰写过的研究成果，也不包含为获得 久哮理工太学 或 其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研 究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 学位份文作者签名:扑句 1 $ 叫: ..// 年 3 月/闭 学位徐文版仅使用投机书 本学位论文作者完全了解 久哮嫂且太学有关保留、使用学位论文 的规定。特授权叉哮理工大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入 有关数据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编， 以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门成机构送交论文的复本和电子 文件。 (保密的学位论文在解密后适用本授权说明) 学位以作者签名:材和 刊每名:养和乡、b $字因此啊!年Jl I 町 $字町期: \1年苓Jl I 目 摘要 碳纳米管具有优良的电学及热学性能，这些特性使其成为了下一代集成电路互连材 料的候选之一。但是碳纳米管实际应用到半导体集成电路中还有很多问题没有解决，如 碳纳米管的低温生长，如何提高碳纳米管的柬密度等问题。如何使碳纳米管在低榻下定 向南密度生长是目前碳纳米管在集成电路中应用亟需解决的问题。 本文采用 PECVD 方法生长碳纳米管，通过扫描电镜 (SEM) ，透射咆镜(TEM) ， 原子力显微镜 (AFM) 和拉曼光谱 (Raman spectroscopy) 等先进手段对样品进行了测 试和农征。主要研究了制备碳纳米管采用的催化剂、衬底温度、工作压强、混合气体比 例以及 RF 功率对碳纳米管形貌的影响:研究了在 550C 的低油条件下反应室内混合气 体比例及 RF 功率对碳纳米管形貌的影响:探索性的尝试了在 450.C 条件下碳纳米管的 生长。主要研究内容如下: (1)通过对比 Fe 和 Ni 两种催化剂制备碳纳米管的结果发现，采用 Fe 催化剂制备 出来的碳纳米管具有管径小，密度高的特点， Fe 比 Ni 更适合用作制备高密度碳纳米管 的催化剂: (2) 通过对比不同衬底温度制备的碳纳米管形貌发现，随着衬底温度的提高，碳 纳米管的密度越来越大，定向性变好，并且其有墨化程度增高: (3) 通过研究工作股强对碳纳米管形貌的影响发现，舶工作压强增大，碳纳米管 从不能生长到定向生长，但也不是压强越大越好，应强超过900Pa以后，碳纳米管中的 无定形碳增多，结晶化程度下降; (4) 提高反服室内的碳氢比到 1: 2 ，会制备出管径粗大的碳纳米管，减小碳氮比 到 1:4，能够制备出管径比较小的碳纳米管: (5) 在 550C 的低温条件下，由于催化剂的活性不高， RF 功事及碳氧比对碳纳米 管生长的影响变大，实验中最适合的功率条件是 100W，最适合的碳氮比为1:3; (6) 在 450.C 的条件下制备碳纳米管，只有采用 RF 功率 100W，Ar代替民的实 验中成功制备出碳纳米管，但是碳纳米管生长速度极其缓慢，其结晶化程度不高， 10:10 为1.340 关键词z 碳纳米管，集成电路互迹，低槛生长，催化剂， PECVD ， Abstract CarbOn nanotubes (CNTs) have attracted worldwide attention and research because Of their unique electromagnetic and thennal properties，and have been considered 耐 a candidate for next generation int町ωnnects application. 咀lOUgh CNTs have those properti 创， there are many problems for the practical application of CNTs in integrated circuit (lC) interconnects. For example，pr叩盯ation Of aligned CNTs with few defec阳 and high-density is the main prOblem 血at needs to be solved in IC int缸∞nnects. In this pap吼 CNTs were synthesiz创 by radio frequency plasma enhanc创 chemical vapor depOsition (RF-PECVD)，由e morphologies of CNTs were observed by