低温制备高电导掺氢AZO透明导电薄膜-凝聚态物理专业论文.docx

万方数据 万方数据 原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研 究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集 体，均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权声明 本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属郑州大学。 根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留或向国家有关部 门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权郑州 大学可以将本学位论文的全部或部分编入有关数据库进行检索，可以采用影印、 缩印或者其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学 位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时，第一署名单位仍然为郑 州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。 学位论文作者： 日期： 年 月 摘要 摘要 摘要 与锡掺杂氧化铟（ITO）相比，掺铝氧化锌（AZO）透明导电薄膜有材料无 毒、材料丰富、成本低廉等优点，已经成为了目前 TCO 薄膜研究热点。然而低 温下制备的 AZO 薄膜的电阻率还没有达到 ITO 的水平，因此降低 AZO 薄膜的 电阻率是一个重要的研究课题。最近有学者指出掺杂 H 可以改变 AZO 薄膜的光 电性质，所以本论文主要围绕提高掺氢 AZO 薄膜性能来进行。 一、AZO 薄膜沉积参数的优化。我们实验室之前没有用陶瓷靶、直流磁控 溅射方法制备 ZnO 的研究，因此我们先不掺杂氢气，通过改变溅射功率、掺杂 氧气、溅射时间、溅射压强、衬底温度来寻找最优参数。 1）溅射功率对 AZO 薄膜性能的影响。随着溅射功率的增加（100-230W）， AZO 薄膜的电阻率减小，最小为 5×10-3Ω.cm；在可见光区的透射率最大为 91%； AZO 薄膜的择优取向由（002）面转向（103）面；AZO 薄膜的表面晶粒增大， 晶界减小。 2）掺杂氧气对 AZO 薄膜的影响。在溅射过程中通入 0.2sccm 氧气，AZO 薄膜的电阻率由 7.6×10-3Ω.cm 减小到 5×10-3Ω.cm；薄膜的透射率有轻微的增 加。 3）溅射时间对 AZO 薄膜性能的影响。随着沉积时间的增多（10-20min）,AZO 薄膜的电阻率先减小后增大，溅射时间 15min 时，薄膜的电阻率最低为 4.18× 10-3Ω.cm；薄膜在可见光区的透射率为 93%；薄膜厚度变厚，薄膜的表面晶粒变 大，致密性更好。 4）溅射压强对 AZO 薄膜的影响。随着压强的增加（0.4-0.6Pa），AZO 薄膜 的电阻率先减小后增大，当溅射压强 0.5Pa 时，薄膜的电阻率最低为 5×10-3Ω.cm； 薄膜透射率为 92%；薄膜表面的晶粒最致密，且缺陷较少。 5）衬底温度对 AZO 薄膜的影响。随着衬底温度的增加（100-200℃），AZO 薄膜的电阻率减小，最低为 2×10-3Ω.cm；薄膜的表面形貌也随着衬底温度的升 高而变得更致密、晶粒更大、晶界更小。 二、上面最佳参数的基础上，在 AZO 薄膜的制备过程中掺杂氢气。主要研 究氢气的流量和衬底温度对 AZO 薄膜性能的影响。 1）氢气流量对 AZO 薄膜性能的影响。随着氢气流量的增加（0.4-1.2sccm）， I 薄膜的电阻率先减小后增大，氢气流量 0.8sccm 时电阻率最低为 3.07×10-3Ω.cm； 薄膜在可见光区的透射率为 93%以上。 2 ） 衬 底 温 度 对 氢 掺 杂 AZO 薄 膜 性 能 的 影 响 。 随 着 衬 底 温 度 的 增 加 （100-200℃），掺氢 AZO 薄膜的电阻率先减小后增大，衬底温度 175℃时电阻 率为 1×10-3Ω.cm，薄膜透射率 97%。 3）衬底温度和氢气流量对 AZO 薄膜性能的影响。无论衬底温度高低，薄 膜的电阻率都随着氢流量增加而先减小后增大，在氢流量 5.6sccm 时，电阻率最 低；在氢气流量较大时，衬底温度越高，电阻率越低，但是当氢气流量少时， 衬底温度 175℃的电阻率小于衬底温度 225℃。衬底温度为 225℃，电阻率最小 4.5×10-4Ω.cm，在可见光区透射率 93%。 关键词：直流磁控溅射 掺氢 AZO 电阻率 透光率 II Abstract Abstract Abstract Compared with tin doped indium oxide (ITO), aluminum doped zinc oxide (AZO) transparent conductive film material non-toxic, material is rich, low-cost