第3章场效管及其基本放大电路.pptVIP

3.1 场效应晶体管(FET） 分类和结构： 结型场效应晶体管JFET 绝缘栅型场效应晶体管IGFET 3.1结型场效应晶体管JFET 1) P 沟道和N沟道结构及电路符号 2)工作等效（以P沟道为例） 3）截止工作 3)、JFET的主要参数 1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDSS; VGS=0，时的ID 4）特性曲线： 与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例： 3.3 MOSFET ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 场效应管的主要参数 3.3、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS） 2）P沟道MOS（Metal Oxidized Semiconductor) (1)工作状态示意图 (2) IGFET 工作原理(NMOS) 耗尽型场效应管的工作原理类似结型场效应管。 增强型IGFET象双结型三极管一样有一个开启电压VT ，（相当于三极管死区电压）。 当UGS低于VT时，漏源之间夹断。ID=0 当UGS高于VT时，漏源之间加电压后。 ID=ID0（ -1）2 ；IDO为2VT时的ID