《数字电子技术--汉华》第7章半导体存储器.pptVIP

* * 习题：P385 7.14综合应用： 解：74LS161构成0001-1111的15进制计数器，按数据表中第2行至第16行所存的数据可知：D0、D1、D2、D3与CP频率之比为7/15、1/3、1/5、1/15。 * P385 7.14综合应用：数据表可画成下图的点阵图 * 第七章 作业 (不要求交) 题7.2、题7.6、题7.8、题7.11 * 注意：使用超级链接－－【2114】和【六管单元】 * 第七章 半导体存储器 本章的重点： 1．存储器的基本工作原理、分类、指标参数和每种类型存储器的特点； 2．扩展存储器容量的方法； 3．用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程的重点。 本章的难点： 在本章的重点内容中基本没有难点。 * 预备知识 字：数字系统中，作为一个整体单元进行存取和处理的一组二进制数，每个数字系统字的二进制数的位数是固定的。 字节：把一个8位的二进制数据单元称为一个字节，通常用字母B表示。 字长：一个字中包含二进制数位数的多少称为字长，字长是标 志数字系统精度的一项技术指标。 KB即为K字节 1K=210 =1024 B MB即为M字节 1M=220 =1024 K GB即为G字节 1G=230 =1024 M 位：数字系统只认识由0或1组成的二进制数，二进制数中的每个0或1就是信息的最小单位，称为“位”（bit），也称为二进制的位或称字位，通常用字母b表示。 * 第七章 半导体存储器 第一节 概述 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。 * 分类： 1. 掩模ROM 2. 可编程ROM（PROM） 3. 可擦除可编程ROM（EPROM） 2. 随机存储器RAM 1. 静态存储器SRAM 2. 动态存储器DRAM 按功能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) 1. UVEPROM 2. EEPROM 1. 只读存储器ROM 3. Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能写入,断电不失 1. 双极型 按制造工艺 2. MOS型 * 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量:用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器的存取时间仅有10ns左右。 * 第二节 只读存储器ROM 一、掩模只读存储器 又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。 1.ROM的构成 由若干存储单元排列成矩阵形式。 储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。 根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应的单元，把数据送往输出缓冲器。 增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连。 存储矩阵： 地址译码器： 输出缓冲器： * 2.工作原理 按组合电路进行分析。 二－四线译码器 A1,A0的四个最小项 字线 地址译码是四个二极管与门； 当EN=0时 D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 真值表： 真值表与存储单元有一一对应关系 位线 0 0 1 1 D0 1 0 1 0 D1 1 1 0 1 D2 1 0 1 0 D3 1 0 1 0 A0 1 1 0 0 A1 D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0 存储矩阵是四个二极管或门； * 用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵（自学，不要求） * 二、可编程只读存储器PROM 产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1改为0。但不能多次擦除。 存储单元多采用熔丝－－低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。 编程时VCC和字线电压提高 be结相当于二极管 * 16字×8位的PROM 十六条字线 八条位线 20V 十几微秒 编程脉冲 缺点：不能重复擦除。 24＝16 * 三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器（UVEP