外延MOCVD基本原理及LED各层沟通.pptxVIP

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  • 2018-12-10 发布于江苏
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外延MOCVD基本原理及LED各层沟通

MOCVD基本原理及LED各层结构;1.何谓MOCVD:;2. MOCVD系統 ;2.1反应室(Reactor/Chamber):;2.2气体控制及混合系统(Gas handling mixing system):;;2.4控制+量测系统:;2;美国Veeco是世界上少数几家, 制作GaN MOCVD的设备商。 它并购了eMcore的TurboDisc 部门后,拥有开始有制作设备 的技术。 目前安徽厂主力设备为K465i, 每炉次产能45片。;Turbo Disk技术,主要是利用高速选转(800~2000rpm)来制造出线性层流,达到外延成 长的目的。;Process Gases Inlet;Thermo Bath、MFC、PC、Manual Valves;RealTemp (inner-middle-outer);Power Units;4. 操作介面 Nexus MOCVD Control Software;4. 操作介面 Nexus MOCVD Control Software;RealTemp200 测温系统 Tw:芯片表面温度 Tc : Carrier温度 Rw:芯片表面反射率;Aixtron的Reactor Design有两项主要技术 1.Planetary (Aixtron自行开发的水平气流+行星转盘);LED各层结构;I.1;I.1;Sapphire ;I.1;

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