千瓦级传导冷却半导体激光器阵列热特性-红外与激光工程.PDFVIP

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  • 2018-12-07 发布于天津
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千瓦级传导冷却半导体激光器阵列热特性-红外与激光工程.PDF

千瓦级传导冷却半导体激光器阵列热特性-红外与激光工程

第46卷第10期 红外与激光工程 2017年10月 Vol.46No.10 InfraredandLaserEngineering Oct.2017 千瓦级传导冷却半导体激光器阵列热特性 1,2 1 1 1 1 1,3 朱其文 ,张 普 ,吴的海 ,聂志强 ,熊玲玲 ,刘兴胜 (1. 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安710119; 2. 中国科学院大学,北京 100049;3. 西安炬光科技有限公司,陕西西安 710119) 摘 要院随着半导体激光器输出功率的进一步提高,热管理已经成为制约其性能和可靠性的关键瓶 颈之一。利用有限元方法对千瓦级高功率传导冷却型(G-Stack)半导体激光器阵列的热特性进行数值 模拟与分析。结果表明工作脉宽大于250滋s时器件各发光单元之间会发生严重的热串扰现象。在横 向及垂直方向的热量分别为64.7豫与35.3豫,横向方向热阻的74.9豫及垂直方向热阻的66.5豫来自 CuW,表明CuW对于激光器的散热性能有着决定性的影响。实验测试了器件在不同占空比条件下的 光谱特性,得到工作频率分别为20、30、40Hz相对50Hz 的温差分别为2.33、1.56、0.78益,根据累积 平均温度法计算得到的温差分别为2.13,1.47,0.75益,理论模拟结果相对于实验结果的平均误差小 于6.85%,结果表明理论模拟结果和实验瞬态热阻基本吻合。 关键词院千瓦级; 半导体激光器阵列; 传导冷却; 热特性; 有限元 中图分类号院TN248.4 文献标志码院A DOI院10.3788/IRLA201746.1005003 ThermalcharacteristicsofkW-levelconduction鄄cooled semiconductorlaserarray Zh 1,2,Zh 1,W 1,N 1,X 1,Li 1,3 uQiwen angPu uDihai ieZhiqiang iongLingling uXingsheng (1.StateKeyLaboratoryofTransientOpticsandPhotonics,Xi忆anInstituteofOpticsandPrecisionMechanics, ChineseAcademyofSciences,Xi忆an710119,China;2.UniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China; 3.FocuslightTechnologiesCo.,LTD,Xi忆an710119,China) Abstract: With the increase in output power of high power semiconductor lasers (HPSLs), thermal managementisoneofthecriticalbottlenecksaffectingtheoptical鄄electricalperformanceandreliabilityof HPSLs.ThermalcharacteristicsofakW-levelconductioncooledsemiconductorlaserarraywereanalyzed based on numerical simulations and experiments. Firstly, transient thermal behavior was studied using

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