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实用标准文案 精彩文档 单晶硅太阳能电池的制备 09物4 项金冬 摘要： ??单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池，是当前开发得最快的一种太阳能电池。它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。因此，我们应该制备单晶硅太阳能电池。 关键字：单晶硅 切割 制绒 制结 PECVD技术 Abstract: Monocrystalline silicon solar battery, is of high purity silicon rods for raw materials of solar cells, is the current development of the fastest a solar cell. Its construction and production process has to finalize the design, the products have been widely used in space and on the ground. We should, therefore, preparation of single crystal silicon solar cells Key word: Monocrystalline silicon;cutting ; system ; PECVD flocking technology 引言：随着世界能源问题的重视，太阳能成为一代新型能源，硅电池的制造为我们更好的使用太阳提供了可能。 单晶硅电池的结构图： N型层 N型层 入射光 栅状电极 抗反射膜 P型层 PN结 金属下电极 1.单晶硅的制备： 直拉法又称切克劳斯基法杨金焕， 杨金焕，于化从，葛亮 太阳能光伏发电应用技术 2.硅片切割，材料准备： ????工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。 3.去除损伤层：?????硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。 ①滚磨 切片前先将硅单晶棒研磨成具有精确直径的单晶棒,再沿单晶棒的晶轴方向研磨出主、次参考面,用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蚀研磨面，称为减径腐蚀。 ②切割 也称切片，把硅单晶棒切成所需形状的硅片（如圆片）的工艺。切割分多线切割、外圆切割、超声切割、电子束切割和普遍采用的内圆切割等。 ③研磨 也称磨片，在研磨机上，用白刚玉或金刚砂等配制的研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方式。 ④倒角 为解决硅片边缘碎裂所引起的表面质量下降，以及光刻涂胶和外延的边缘凸起等问题的边缘弧形工艺。倒角方法有磨削、喷砂、化学腐蚀和恰当的抛光等，较普遍采用的是用倒角机以成型的砂轮磨削硅片边缘，直到硅片边缘形状与轮的形状一致为止 ⑤化学腐蚀 也称减薄腐蚀，目的是除去切磨后硅片表面的损伤层和沾污层，改善表面质量和提高表面平整度。化学腐蚀法有篮式、桶式、旋转杆式和盒式，采用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液从硅片两侧腐蚀掉一定的厚度。 ⑥抛光 为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面，必须进行抛光，以除去残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光，较普遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。在抛光过程中，氢氧化钠与硅表面反应生成硅酸钠，通过与二氧化硅胶体的磨削，硅酸钠进入抛光液，两个过程不停顿地同时进行而达到抛光的目的。根据不同要求，可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光（粗抛光、中间抛光和精抛光）。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求，已有无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。胡伟民, 洪垣, 周斌.n+/p 常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法[J].同济大学学报,1995 胡伟民, 洪垣, 周斌.n+/p 常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法[J].同济大学学报,1995 ⑦检测抛光面 包括目检、几何尺寸检测和热氧化层错检测等。目检是在正面高强度光或大面积散射光照射下目测抛光片上的原生缺陷和二次缺陷。这些缺陷包括边缘碎裂、