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各种AMOLED 技术的介绍 本文介绍了AMOLED 的生产中的金属氧化物技术、低温多晶硅技术、 非晶硅技术、微晶硅技术、有机膜蒸镀技术、光射出方式技术,并对 其优缺点进行了分析。 （1）金属氧化物技术（Metal oxide TFT) 这种生产技术目前被很多厂家及专业调查公司看好，并认为是将来大 尺寸AMOLED 技术路线的首选，各个公司也有相应的大尺寸样品展 出。 该技术 TFT 基板在加工过程中，可采取液晶行业中常见的、成熟的 大面积的溅镀成膜的方式，氧化物为InGaO3(ZNO)5 ，尽管这种器件 的电子迁移率较 LTPS 技术生产出来的产品要低，基本为 10 cm2/V-sec ，但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的10 倍以上，该器 件电子迁移率完全能够满足AMOLED 的电流驱动要求，因此可以应 用于OLED 的驱动。 目前金属氧化物技术还处于实验室验证阶段，世界上没有真正进行过 量产的经验，主要的因素是其再现性及长期工作稳定性还需要进一步 改善和确认。 （2）低温多晶硅技术（LTPS TFT) 该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在 G4.5 代以下生产 线相当成熟的AMOLED 生产技术。 该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方