第二章第九章电力电子器件.ppt

Static characteristics of GTR 共发射极接法输出特性：截止区、放大区和饱和区。 工作在开关状态。 开关过程中，要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 Switching characteristics of GTR i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 加快开通过程的办法 ：增大基极驱动电流的幅值和di/dt。 上升时间主要是由于基区电荷储存需要时间造成的，增大基极驱动电流的幅值和di/dt，可加快开通过程。 Switching characteristics of GTR i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 关断过程 储存时间ts和下降时间 tf，二者之和为关断时 间toff 。 加快关断速度的办法： 减小导通时饱和深度 以减小储存载流子，或增大基极抽取负电流的幅 值和负偏压，可缩短储存时间，加快关断速度。 开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO短 。 GTR的主要参数 除电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff ，还有： 最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿； 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关； BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo； 使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。 GTR的主要参数 通常规定为直流电流放大系数hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 。 实际使用时要留有裕量，取IcM的一半或稍多。 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率。 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 集电极最大允许电流IcM Second breakdown of GTR 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，如不能有效地限制电流，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 二次击穿对GTR有极大危害。 Safe operating area (SOA) of GTR 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图1-18 GTR的安全工作区 电力场效应晶体管Power metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor—Power MOSFET 结型和绝缘栅型。 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）。 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小； 开关速度快，工作频率高； 热稳定性优于GTR； 电流容量小，耐压低，适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 Power MOSFET Structures of Power MOSFET 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道； 耗尽型——栅极电压为零时漏源极间就存在导电沟道； 增强型——栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道； ?电力MOSFET主要是N沟道增强型。 Structures of Power MOSFET 单极型晶体管； 导电机理与小功率MOS管相同，结构上有较大区别； 多元集成结构，不同的生产厂家采用不同设计。 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 Structures of Power MOSFET 小功率MOS管是横向导电器件； 电力MOSFET采用垂直导电结构，又称VMOSFET（Vertical MOSFET）；