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第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报
35 8 Vol.35No.8
年 月 ’
2015 8 JournalofXianTechnoloicalUniversit Au.2015
g y g
: /
DOI10.16185 .xatu.edu.cn.2015.08.011
jj
Co掺杂 ZnO的第一性原理计算
,
12 1 1
赵亚楠 ,王 胜 ,李梅竹
( 陕西广播电视大学 工程管理教学部,西安 ;
1. 710072
2.西北工业大学 陕西省凝聚态结构与性质重点实验室,西安 710072)
摘 要: 为了拓宽ZnO光电材料的应用前景,研究了ZnO薄膜的晶体电子结构、掺杂以及
光学性质 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了 和
. ZnO Zn
0.9
的能带结构、电子结构和光学性质 计算结果表明:纤锌矿 为直接带隙半导体,掺
Co O . ZnO
0.1
杂 后 能级发生劈裂,态密度向稳定的低能级移动,禁带宽度变窄,吸收谱红移,
10% Co ZnO
呈现铁磁性.
关键词: 态密度;光学性质;第一性原理;稀磁半导体
中图号: 文献标志码: 文章编号: ( )
TG139.7 A 16739965201508066404
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