Co掺杂ZnO第一性原理计算.PDFVIP

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第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报 35 8 Vol.35No.8               年 月             ’             2015 8 JournalofXianTechnoloicalUniversit Au.2015 g y g : / DOI10.16185 .xatu.edu.cn.2015.08.011 jj Co掺杂 ZnO的第一性原理计算 , 12 1 1 赵亚楠 ,王 胜 ,李梅竹   ( 陕西广播电视大学 工程管理教学部,西安 ; 1. 710072 2.西北工业大学 陕西省凝聚态结构与性质重点实验室,西安 710072) 摘 要: 为了拓宽ZnO光电材料的应用前景,研究了ZnO薄膜的晶体电子结构、掺杂以及     光学性质 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了 和 . ZnO Zn 0.9 的能带结构、电子结构和光学性质 计算结果表明:纤锌矿 为直接带隙半导体,掺 Co O . ZnO 0.1 杂 后 能级发生劈裂,态密度向稳定的低能级移动,禁带宽度变窄,吸收谱红移, 10% Co ZnO 呈现铁磁性. 关键词: 态密度;光学性质;第一性原理;稀磁半导体   中图号: 文献标志码: 文章编号: ( ) TG139.7 A 16739965201508066404            犉犻狉狊狋犘狉犻狀犮犻犾犲犆犪犾犮狌犾犪狋犻狅狀狅犳犆狅犇狅犲犱犣狀犗 狆 狆 , 12 1 1 , , 犣犎犃犗犢犪狀犪狀 犠犃犖犌犛犺犲狀 犔犐犕犲犻狕犺狌 犵 ( , , ’ , ;

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