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0.8 EQ 的半导体加入IGBT电源开关的门极驱动
摘要：本文主要讨论了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的门极驱动的设计和整体的实现。本文讨论的初衷是实现一个高压（25V）整体门极驱动和异常电路的保护电路在常见的低压（5V）高密度（0.8 EQ ）半导体工艺的处理。扩展MOS-FET管以在这个设计中实现抗高压的能力。
关键词：门极驱动，IGBT，HVNMOS,HVPMOS
简介
一个有效的IGBT门极驱动必须连接单片机的接口，通过电压或者电流来实现IGBT[1]的开关，而且同时能够在非正常情况下保护IGBT。最近几年，种类繁多的制造设计工艺已经实现在IGBT的门极驱动【2,3】。在大
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