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表面与界面电子过程表面与界面的电子过程表面
第二章表面与界面电子过程 第二章表面与界面的电子过程
第二章表面与界面的电子过程 电子运动的特点:微质点、高速度运动
导电率是材料最重要的性能之一(宏观特性) 不可能确定某电子在时间出现在某空间的位
置空间出现的概率( 电子云及密度)
导电率实际上取决于电子在材料中的微观运动
状态
电子运动状态:能量、运动的范围
生物分子与生物材料表面的相互作用大量涉及
电子过程,如生物传感器
第二章表面与界面的电子过程 第二章表面与界面的电子过程
能量不连续能级 决定电子运动状态是主要取决于对电子的作用
势(V )(原子核、电子间)
无数电子形成一个系统以后( 即在材料中),
电子运动能量特性(范围) 能带 具体电子运动状态是通过薛定鄂方程求出电子
的波函数 ()及其对应的本征能量 (E )。
非定域态 导带
外层电子 2 d 2
V (x ) (x ) E (x )
定域态 价带 2 V E
2m dx
电子与核 内层电子
结合能
1
第一节 晶体电子的表面势 第一节 晶体电子的表面势
第一节 晶体电子的表面势 1.2 Vzc, Ves和Vcore对总表面势的贡献
要了解表面电子运动状态,除了与体内相同势 Si (111)表面区域势垒示意图。
场外,还必须知道对电子作用的表面势场。
1.1 表面势的主要成分
硅价带宽度为12.5eV,平均体势能约在价带底上
电子在表面运动时会受到多种作用,势场 面约2.7eV处
VST(r) 由以下三部分组成:
体内平均势能与真空电子能级的差约14.8eV,可
VST(r)=Vcore(r) + Ves(r) + Vzc(r) 看成总表面势
Vcore(r):价电子与离子芯的交换势和相关势 平均体势能与E 间的差(9.6 eV)可看成为价电
Ves(r): 离子芯和价电子产生的总静电势 v,max
Vzc(r): 价电子间的交换和相关 子间的相关和交换势(Vzc)
第二节表面态 第二节表面态
第二节表面态
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