高深宽比硅微结构MEMS电容器制造工艺优化及其性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

中北大学学位论文 中北大学学位论文 中北大学学位论文 中北大学学位论文 高深宽比硅微结构 MEMS 电容器制造工艺优化及其性能研究 摘 要 随着便携式电子元器件的需求不断增加，对器件的体积、灵敏度、能耗和集成度等 提出了更高的要求，能源供应也成为限制器件微小型化的重要技术瓶颈。本论文面向 “电源微型化、集成化和智能化”的发展趋势，针对MEMS微型电容器温度使用范围宽、 功耗低、噪声低、使用寿命长、储能密度高及瞬发功率高的迫切发展要求，开展基于 MEMS技术的大容量体积比和高可靠性微型电容器的基础研究，以期为未来微能源系统 的设计与应用奠定基础。 本论文系统分析了MEMS电容器电容量与耐压强度之间的关系，对电容器的掩膜结 构和制造工艺进行了优化，并采用ANSYS软件对5 μm × 15 μm × 150 μm深槽结构进行应 力分析，确保结构设计的合理性。将硅通孔（TSV）技术和原子层沉积（ALD）技术相 结合实现了大比表面积的微型电容器制造；利用深槽微孔隙填充技术提高了电容器的可 靠性；采用PCB板封装实现大容量体积比、高可靠性和强环境适应性的MEMS电容器原 型器件的研制。此外，本论文研究了MEMS微型电容器的制造技术对其结构和性能的影 响，并自主搭建电学性能测试平台，对HfO2电介质层的击穿特性、MEMS微型电容器的 阻抗特性、C-V特性、I-V特性和频谱特性进行测试与分析，之后与冷热台耦合对MEMS 微型电容器的温度适应性进行了研究。 本论文设计的单个5 μm×15 μm结构，解决了硅片刻蚀过程中占空比过大造成的负载 效应问题，ANSYS仿真结果表明：该深槽结构能够满足MEMS微型电容器的正常工作需 求。对不同掺杂元素高导电硅的刻蚀垂直度进行了分析，其中B掺杂高导电硅的刻蚀效 果最好，垂直度最高。由于溅射工艺本身的缺陷和铝的质量较轻，深槽填充效果不太理 想。之后，对不同金属电极材料的MEMS电容器进行了分析，结果表明原子层沉积的金 属电极钨性能最稳定。由HfO2电介质层击穿特性的测试结果可知：HfO2电介质层的击穿 场强为（4 ~ 4.5）MV/cm左右，漏电流在nA级，并且随着电介质层厚度的增加，电介质 的漏电流减小，击穿场强随之降低。对MEMS微型电容器进行C-V特性测试，分析可知： 该电容器的储能密度在（0.56 ~ 0.88）μF/mm3之间，呈现典型的MOS电容特性。在0 ~ 1 MHz频率范围内对MEMS微型电容器的电容量进行测试，其电容量随频率的增大而降 低。温度适应性测试结果表明：该电容器在（20 ~ 65）℃温度范围内能够稳定工作，有 良好的温度响应特性。 关键词：MEMS 电容器，硅通孔，原子层沉积，电学性能 Research on process optimization and electrical properties of silicon-based MEMS capacitors with high aspect ratio Abstract As the demand of portable electronics is increasing, more requirements have been put forward to the electronic devices, in terms of volume, sensitivity, energy consumption and integration, etc., energy supply has been an important technical bottleneck limiting the miniaturization of devices. With the development of “miniaturization, integration and intelligence for power supply”, MEMS capacitors, which have wider operating temperature range, lower power dissipation, lower noise, long life, higher energy density and instantaneous power than conventional ones, are attracting the attention of researchers at home and abroad. In this paper, research on MEMS capacitors with large surface area, high capacity and reliability based on MEM